标准搜索结果: 'GB/T 10118-2009'
| 标准编号 | GB/T 10118-2009 (GB/T10118-2009) | | 中文名称 | 高纯镓 | | 英文名称 | High purity gallium | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H66 | | 国际标准分类 | 77.150.99 | | 字数估计 | 7,791 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 10118-1988 | | 引用标准 | YS/T 474 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、试验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单内容等。本标准适用于以纯度不小于99.99%的工业镓为原料, 经电解精炼、控制单晶或其他提纯工艺制得的纯度不小于99.9999%的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金 | GB/T 10118-2009
High purity gallium
ICS ７７．１５０．９９
H６６
中华人民共和国国家标准
GB/T １０１１８-２００９
代替 GB/T １０１１８-１９８８
高 纯 镓
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T １０１１８-１９８８《高纯镓》。
本标准与GB/T １０１１８-１９８８相比，主要有如下变动：
---增加了检出杂质元素的种类；
---降低了原标准中检出杂质元素的含量；
---引入了 ＭＢＥ级牌号高纯镓；
---对原标准的试验方法进行了修改，增加了辉光质谱法等。
本标准的附录Ａ为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位：国瑞电子材料有限责任公司。
本标准参加起草单位：南京金美镓业有限公司。
本标准主要起草人：于洪国、邢志国。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １０１１８-１９８８。
GB/T １０１１８-２００９
高 纯 镓
１ 范围
本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内
容等。
本标准适用于以纯度不小于９９．９９％的工业镓为原料，经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得
的纯度不小于９９．９９９９％的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
ＹＳ/T ４７４ ＩＣＰ-ＭＳ分析法测定高纯镓中的痕量元素
３ 要求
３．１ 产品分类
产品按纯度分为Ｇａ-０６、Ｇａ-０７、ＭＢＥ级三个牌号：
Ｇａ-０６：表示镓含量不小于９９．９９９９％的高纯镓；
Ｇａ-０７：表示镓含量不小于９９．９９９９９％的高纯镓；
ＭＢＥ级：表示镓含量大于９９．９９９９９９％的高纯镓。
３．２ 化学成分
产品的化学成分应符合下列各表的规定：
表１ 高纯镓G犪-０６化学成分
牌号
化学成分（质量分数）／％
Ｇａ
不小于
杂质含量／（×１０-６），不大于
Ｆｅ Ｓｉ Ｐｂ Ｚｎ Ｓｎ Ｍｇ Ｃｕ Ｍｎ Ｃｒ Ｎｉ 总和
Ｇａ-０６ ９９．９９９９ ３ ５ ３ ３ ３ ３ ２ ３ ３ ３ １００
注１：表中镓百分含量为１００％减去表中所列杂质含量（质量分数）的总和；
注２：表中未列的其他杂质元素，可由供需双方协商确定。
表２ 高纯镓G犪-０７化学成分
牌号
化学成分（质量分数）／％
Ｇａ
不小于
杂质含量／（×１０-６），不大于
Ｆｅ Ｓｉ Ｐｂ Ｚｎ Ｓｎ Ｍｇ Ｃｕ Ｍｎ Ｃｒ Ｎｉ Ｎａ Ｃａ 总和
Ｇａ-０７ ９９．９９９９９ ０．５ ０．５ ０．５ ０．５ ０．５ ０．５ ０．２ ０．３ ０．５ ０．５ ０......
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