路径: 主页 > GB/T > 第435页 > GB/T 11073-2007 | 标准编号 | GB/T 11073-2007 (GB/T11073-2007) | | 中文名称 | 硅片径向电阻率变化的测量方法 | | 英文名称 | Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040.01 | | 字数估计 | 14,162 | | 发布日期 | 2007-09-11 | | 实施日期 | 2008-02-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 11073-1989 | | 采用标准 | ASTM F81-2001, MOD | | 标准依据 | 中国国家标准批准发布公告2007年第11号(总第111号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。 | GB/T 11073-2007
Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
ICS ７７．０４０．０１
H１７
中华人民共和国国家标准
GB/T １１０７３-２００７
代替GB/T １１０７３-１９８９
硅片径向电阻率变化的测量方法
２００７-０９-１１发布
２００８-０２-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准是对GB/T １１０７３-１９８９《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了
ＡＳＴＭＦ８１-０１《硅片径向电阻率变化的测量方法》。
本标准与ＡＳＴＭＦ８１-０１的一致性程度为修改采用，主要差异如下：
---删去了ＡＳＴＭＦ８１-０１第４章“意义和用途”。
本标准与GB/T １１０７３-１９８９相比主要变化如下：
---因GB/T ６６１５已并入 GB/T １５５２，本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为
GB/T １５５２，并将第２章“规范性引用文件”中的“GB/T ６６１５”改为“GB/T １５５２”；
---采用ＡＳＴＭＦ８１-０１第８章“计算”中的计算方法替代原GB １１０７３-１９８９中径向电阻率变化
的计算方法；
---依据GB/T １５５２将电阻率的测量上限由１×１０３Ω·ｃｍ改为３×１０３Ω·ｃｍ；
---将原GB/T １１０７３-１９８９中第７章“测量误差”改为第４章“干扰因素”，并对其后各章章号作
了相应调整；
---删去了原GB/T １１０７３-１９８９中的表１，采用GB/T １２９６５规定的直径偏差范围；
---将原GB/T １１０７３-１９８９中的表２改为表１，并依据GB/T １２９６５中的规定，在本标准中删去
８０．０ｍｍ标称直径规格，增加了１５０．０ｍｍ和２００．０ｍｍ标称直径规格。
本标准的附录Ａ是规范性附录。
本标准自实施之日起，同时代替GB/T １１０７３-１９８９。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人：梁洪、覃锐兵、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １１０７３-１９８９。
GB/T １１０７３-２００７
硅片径向电阻率变化的测量方法
１ 范围
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于１５ｍｍ、电阻率为１×１０-３Ω·ｃｍ～３×１０３Ω·ｃｍ
硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １５５２ 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T ２８２８（所有部分） 计数抽样检验程序
GB/T ６６１８-１９９５ 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T １２９６５ 硅单晶切割片和研磨片
３ 方法提要
根据要求选择四种选点方案中的一种，按GB/T １５５２的方法进行测量，并利用几何修正因子计算
出硅片电阻率及径向电阻率变化。
本标准提供四种测量选点方案。采用不同的选点方案能测得不同的径向电阻率变化值。
４ 干扰因素
４．１ 四探针间距小于本标准规定的探针间距或测量高寿命样品时，应找出适当的电流范围用作电阻率
测量。
４．２ 掺杂浓度的局部变化也会引起沿晶体生长方向上的电阻率变化，而四探针测量的是局部电阻率平
均值，这个值受样品纵向电阻率变化的影响；所以在硅片正面和背面测量电阻率变化的结果可能不同。
这种影响程度也与探针间距相关。
４．３ 当探针位置靠近硅片边缘时，对测出的电压与电流比有明显的影响。根据电压与电流比和几何修
正因子来计算局部电阻率。附录Ａ中第Ａ．２章提供了探针间距为１．５９ｍｍ、测量点向硅片边缘移动
０．１５ｍｍ时的局部电阻率误差量。对不同尺寸的硅片和测量点来说，这些误差量随着探针间距的减小
而减小。
４．４ 与硅片的几何形状有关的误差。
４．４．１ 在靠近硅片参考面位置上测量或在硅片背面及其周围导电的情况下测量均会产生误差。
４．４．２ 没有按硅片实际直径计算修正因子，则会增加几何修正因子的误差。当测量时......
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