[PDF] GB/T 11094-2007 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 11094-2007 | 399 | GB/T 11094-2007 | <=3 | 水平法砷化镓单晶及切割片 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 11094-2007 (GB/T11094-2007) |
| 中文名称 | 水平法砷化镓单晶及切割片 |
| 英文名称 | Horizontal Bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 10,161 |
| 发布日期 | 2007-09-11 |
| 实施日期 | 2008-02-01 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 11094-1989 |
| 引用标准 | GB/T 1555; GB/T 2828.1; GB/T 4326; GB/T 8760; GB/T 14264; GJB 1927 |
| 标准依据 | 中国国家标准批准发布公告2007年第11号(总第111号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片, 产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。 |
GB/T 11094-2007
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
ICS ２９．０４５
H８３
中华人民共和国国家标准
GB/T １１０９４-２００７
代替GB/T １１０９４-１９８９
水平法砷化镓单晶及切割片
２００７-０９-１１发布
２００８-０２-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准是对GB/T １１０９４-１９８９《水平法砷化镓单晶及切割片》的修订。
本标准与原标准相比，主要变动如下：
---单晶生长方向上增加了近几年在生产中大量使用的＜１１０＞晶带上由＜１１１＞Ｂ方向向最远的
＜１００＞Ａ方向偏转０°～２０°生长单晶，明确提出了生长偏角由生产工艺参数决定；
---明确了晶锭作为单晶产品；
---切割片中取消了目前基本已被淘汰的直径为４０ｍｍ、５０ｍｍ以及矩形和Ｄ形片的规定；
---增加了目前大量使用的直径５０．８ｍｍ、６３．５ｍｍ切割片和国际上少量使用的直径７６ｍｍ
切割片的规定等等。
本标准实施之日代替GB/T １１０９４-１９８９。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：北京有色金属研究总院。
本标准主要起草人：武壮文、王继荣、张海涛、于洪国。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １１０９４-１９８９。
GB/T １１０９４-２００７
水平法砷化镓单晶及切割片
１ 范围
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。
本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件
等的制作。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １５５５ 半导体单晶晶向测定方法
GB/T ２８２８．１ 计数抽样检验程序 第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划
GB/T ４３２６ 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T ８７６０ 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T １４２６４ 半导体材料术语
ＧＪＢ１９２７ 砷化镓单晶材料测试方法
３ 术语、定义
GB/T １４２６４确立的以及下列术语和标准适用于本标准。
３．１
本标准中特指水平布里奇曼法，简写为：ＨＢ。
３．２
本标准中出现的单晶专指水平布里奇曼法砷化镓单晶。
３．３
本标准中出现的晶锭专指水平布里奇曼法砷化镓单晶晶锭。
３．４
本标准中出现的晶片专指水平布里奇曼法砷化镓单......