[PDF] GB/T 11297.7-1989 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 11297.7-1989 | 809 | GB/T 11297.7-1989 | <=4 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 11297.7-1989 (GB/T11297.7-1989) |
| 中文名称 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 |
| 英文名称 | Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L90 |
| 国际标准分类 | 29.040.01 |
| 字数估计 | 23,214 |
| 发布日期 | 3/31/1989 |
| 实施日期 | 1/1/1990 |
| 范围 | 本标准适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。本标准所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的, 在特定位置上施加电极接触, 用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数, 而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。本标准适用于电阻率lO^-3～10^2Ω·cm的锑化铟单晶样品。 |
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