路径: 主页 > GB/T > 第203页 > GB/T 11297.9-2015 | 标准编号 | GB/T 11297.9-2015 (GB/T11297.9-2015) | | 中文名称 | 热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法 | | 英文名称 | Test method for dielectric tangent of loss angle of pyroelectric materials | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L90 | | 国际标准分类 | 31.020 | | 字数估计 | 7,736 | | 发布日期 | 2015-12-31 | | 实施日期 | 2016-07-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 11297.9-1989 | | 引用标准 | SJ/T 11067 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第43号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本部分规定了热释电陶瓷、晶体和有机材料在100Hz～100kHz范围的介质损耗角正切tanδ的测量方法。本部分适用于测量钛酸铅、锆钛酸铅、钛酸锶钡、钽钪酸铅等热释电陶瓷材料和铌镁酸铅、钽酸锂、三甘氨酸硫酸盐族等热释电晶体材料的介质损耗角正切tanδ, 也适用于测量其他类似陶瓷、晶体及有机热释电材料的介质损耗角正切tanδ。 | GB/T 11297.9-2015
Test method for dielectric tangent of loss angle of pyroelectric materials
ICS 31.020
L90
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 11297.9-1989
热释电材料介质损耗角正切tanδ的
测试方法
2015-12-31发布
2016-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本部分代替GB/T 11297.9-1989《热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法》。本部分与
GB 11297.9-1989相比,主要技术变化如下:
---修改了适用的频率范围(见第1章);
---修改了试样尺寸要求(见第6章,1989年版3.2);
---增加了测量引线的要求(见第7章);
---修改了频率最大允许误差(见第7章,1989年版4.2);
---修改了tanδ值的测量最大允许误差(见第7章,1989年版4.1);
---修改了试样处理(见8.1,1989年版5.1);
---增加了“先将样品盒放入恒温器内,再将样品夹具接入样品盒内”和通过仪器的开路和短路校
准,直接测得试样的介质损耗角正切tanδ[见8.2b)~f)]。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位:中国科学院上海硅酸盐研究所。
本部分主要起草人:姚春华、曹菲、董显林、王根水、王永龄。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 11297.9-1989。
热释电材料介质损耗角正切tanδ的
测试方法
1 范围
本部分规定了热释电陶瓷、晶体和有机材料在100Hz~100kHz范围的介质损耗角正切tanδ的测
量方法。
本部分适用于测量钛酸铅、锆钛酸铅、钛酸锶钡、钽钪酸铅等热释电陶瓷材料和铌镁酸铅、钽酸锂、
三甘氨酸硫酸盐族等热释电晶体材料的介质损耗角正切tanδ,也适用于测量其他类似陶瓷、晶体及有
机热释电材料的介质损耗角正切tanδ。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T 11067 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
3 术语和定义
SJ/T 11067界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
介质损耗 dielectricloss
任何电介质(包括热释电材料)在交变电场作用下由于发热而产生的电能损耗。
4 测量原理
衡量这种损耗大小的因子是tanδ,称为介质损耗角(δ)的正切值,是一个无量纲物理量。介质损耗
角(δ)表示为有功功率(P)与无功功率(Q)的比值,见式(1)。
tanδ=
(1)
介质损耗角正切(tanδ)的测量和计算方法有两种等效电路,图1分别表示这两种等效电路及其矢
量图解。
由图1可见,并联损耗角正切可表示为式(2):
tanδ=
IR
IC......
|