主页 购物车 询价 关于我们
www.GB-GBT.com
收录标准: 222431 (2026-05-16) 搜索
路径: 主页 > GB/T > 第278页 > GB/T 13539.4-2005

[PDF] GB/T 13539.4-2005 - 英文版

标准搜索结果: 'GB/T 13539.4-2005'
标准号码美元购买PDF工期标准名称(英文版)
GB/T 13539.4-2005 959 GB/T 13539.4-2005 <=4 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
基本信息
标准编号 GB/T 13539.4-2005 (GB/T13539.4-2005)
中文名称 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
英文名称 Low voltage fuses -- Part 4: the requirements of the protection of semiconductor devices fuse supplement
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 K31
国际标准分类 29.120.50
字数估计 24,295
发布日期 2005-08-03
实施日期 2006-04-01
旧标准 (被替代) GB 13539.4-1992
采用标准 IEC 60269-4-1986, IDT
标准依据 国家标准批准发布公告2005年第11号(总第85号);国家标准批准发布公告2009年第6号(总第146号)
发布机构 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
范围 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体, 熔断体的额定电压不超过交流1000V或标称电压不超过直流1500V。如果适用, 还可以用于更高的标称电压的电路。注1:这种熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2:在多数情况下, 组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性, 难以作出一般的规定;组合设备是否适合作熔断器底座, 应由用户与制造厂协商。但是, 如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件, 它们应符合GB 13539.1的相关要求。

......