[PDF] GB/T 13539.4-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 13539.4-2009 | RFQ | 点击询价 | <=4 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 13539.4-2009 (GB/T13539.4-2009) |
| 中文名称 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 |
| 英文名称 | Low-voltage fuses -- Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | K31 |
| 国际标准分类 | 29.120.50 |
| 字数估计 | 36,329 |
| 发布日期 | 2009-04-21 |
| 实施日期 | 2009-11-01 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 13539.4-2005; GB/T 13539.7-2005 |
| 引用标准 | GB/T 321-2005; GB 13539.1-2008; GB/T 13539.2-2008; GB 13539.3-2008; IEC 60417 |
| 采用标准 | IEC 60269-4-2006, IDT |
| 标准依据 | 中华人民共和国国家标准批准发布公告2009年第6号(总第146号);国家标准公告2016年第7号 |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体, 该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1500 V的电路。如适用, 还可用于更高的标称电压的电路。 |
GB/T 13539.4-2009
Low-voltage fuses.Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
ICS ２９．１２０．５０
K３１
中华人民共和国国家标准
GB/T １３５３９．４-２００９／IEC ６０２６９-４：２００６
代替GB/T １３５３９．４-２００５、GB/T １３５３９．７-２００５
低压熔断器 第４部分：
半导体设备保护用熔断体的补充要求
（IEC ６０２６９-４：２００６，ＩＤＴ）
２００９-０４-２１发布
２００９-１１-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅰ
１ 总则 １
２ 术语和定义 ２
３ 正常工作条件 ２
４ 分类 ３
５ 熔断器特性 ３
６ 标志 ５
７ 设计的标准条件 ６
８ 试验 ６
附录Ａ（资料性附录） 熔断体和半导体设备的配合导则 １６
附录Ｂ（规范性附录） 制造厂应在产品使用说明书（样本）中列出的半导体设备保护用熔断体
的资料 ２０
附录Ｃ（规范性附录） 半导体设备保护用标准化熔断体示例 ２１
GB/T １３５３９．４-２００９／IEC ６０２６９-４：２００６
前言
GB １３５３９《低压熔断器》预计分为五个部分：
---第１部分：基本要求；
---第２部分：专职人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工业的熔断器）标准化熔断器系统示
例Ａ至Ｉ；
---第３部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求（主要用于家用和类似用途的熔断器）标准化
熔断器系统示例Ａ至Ｆ；
---第４部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求；
---第５部分：低压熔断器应用指南。
本部分为GB １３５３９的第４部分，本部分等同采用IEC ６０２６９-４：２００６《低压熔断器 第４部分：半导
体设备保护用熔断体的补充要求》（英文版）。
为便于使用，本部分作了下列编辑性修改：
---删除国际标准的前言和引言；
---删除原表、图及部分条款下的编辑性注释；
---原７．４中倒数第二行“熔体不应熔化”疑有误，改为“熔断体不应熔断”；
---原图１０２“约定试验装置举例”中右图上标③疑有误，改为②。
本部分与GB １３５３９．１-２００８一起使用。本部分的条款号与GB １３５３９．１相对应。
本部分代替GB/T １３５３９．４-２００５《低压熔断器 第４部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》
和GB/T １３５３９．７-２００５《低压熔断器 第４部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 第１至３篇：
标准化熔断体示例》。本部分主要由原GB/T １３５３９．４及GB/T １３５３９．７全部内容合并而成。
本部分与GB/T １３５３９．４-２００５和GB/T １３５３９．７-２００５相比主要变化如下：
---原GB/T １３５３９．４-２００５中附录Ａ规范性附录改为资料性附录，原附录Ｂ资料性附录改为规
范性附录；原GB/T １３５３９．７-２００５内容改为本部分附录Ｃ内容；
---图Ｃ．２表中原“Ｆ最大值”改为“Ｆ名义值”；
---图Ｃ．７表中最后一栏 Ｈ最大值倒数第６行，原为“０．４”，现改为“３３．４”。
本部分的附录Ｂ、附录Ｃ为规范性附录，附录Ａ为资料性附录。
本部分由中国电器工业协会提出。
本部分由全国熔断器标准化技术委员会（ＳＡＣ/TＣ３４０）归口。
本部分负责起草单位：上海电器科学研究所（集团）有限公司。
本部分参加起草单位：上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂、浙江西熔电气有限公司、人民
电器集团有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司。
本部分主要起草人：季慧玉、吴庆云。
本部分参加起草人：林海鸥、刘双库、李全安、郎建才、黄章武、郑爱国。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB １３５３９．４-１９９２、GB/T １３５３９．４-２００５；
---GB/T １３５３９．７-２００５。
GB/T １３５３９．４-２００９／IEC ６０２６９-４：２００６
低压熔断器 第４部分：
半导体设备保护用熔断体的补充要求
１ 总则
除GB １３５３９．１-２００８规定外，补充下列要求。
半导体设备保护用的熔断体应符合GB １３５３９．１-２００８的所有要求，下文中没有另外指明的，也应
符合本部分规定的补充要求。
１．１ 范围和目的
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不
超过交流１０００Ｖ或直流１５００Ｖ的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。
注１：此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。
注２：在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性，难以作出一般的规定；组合设备是
否适合作熔断器底座，应由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们应符
合GB １３５３９．１-２００８的相关要求。
本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他
型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了：
ａ） 熔断体的下列特性：
１） 额定值；
２） 正常工作时的温升；
３） 耗散功率；
４） 时间-电流特性；
５） 分断能力；
７） 电弧电压极限值。
ｂ） 验证熔断体特性的型式试验；
ｃ） 熔断体标志；
ｄ） 应提供的技术数据（见附录Ｂ）。
１．２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过GB/T １３５３９的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文
件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成
协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本
部分。
GB/T ３２１-２００５ 优先数和优先数系（ISO ３：１９７３，ＩＤＴ）
GB １３５３９．１-２００８ 低压熔断器 第１部分：基本要求（IEC ６０２６９-１：２００６，ＩＤＴ）
GB/T １３５３９．２-２００８ 低压熔断器 第２部分：专职人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工
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