[PDF] GB/T 14139-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 14139-2009 | 319 | GB/T 14139-2009 | <=3 | 硅外延片 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 14139-2009 (GB/T14139-2009) |
| 中文名称 | 硅外延片 |
| 英文名称 | Silicon epitaxial wafers |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 8,868 |
| 发布日期 | 2009-10-30 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 14139-1993 |
| 引用标准 | GB/T 2828.1; GB/T 6617; GB/T 6624; GB/T 12962; GB/T 12964; GB/T 13389; GB/T 14141; GB/T 14142; GB/T 14145; GB/T 14146; GB/T 14246; GB/T 14847; YS/T 24 |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N+)和在P型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P+)的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。 |
GB/T 14139-2009
Silicon epitaxial wafers
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T １４１３９-２００９
代替GB/T １４１３９-１９９３
硅 外 延 片
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T １４１３９-１９９３《硅外延片》。
本标准与原标准相比，主要有如下变动：
---删除了引用标准ＹＳ/T ２３《硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法》和ＹＳ/T ２８《硅片包装》；
---增加了引用标准GB/T １４１４１《硅外延层、扩展层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针
法》和GB/T １４８４７《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》；
---修改了产品规格规范，去除原标准中５０．８ｍｍ、８０ｍｍ、９０ｍｍ三个规格，增加了直径尺寸
１２５ｍｍ和１５０ｍｍ；
---在产品牌号中增加衬底掺杂内容；
---衬底掺杂元素中增加衬底掺杂元素磷（Ｐ）；
---对外延层中心电阻率、径向电阻率和外延层厚度进行了修订，对其允许偏差进行加严；
---修改了外延层厚度测量方法，对外延片表面缺陷检测方法进行加严；
---修改了合格质量水平（ＡＱＬ）规定，增加了表面质量、位错等检验项目合格质量水平规定。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：宁波立立电子股份有限公司。
本标准主要起草人：许峰、刘培东、李慎重、谌攀。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １４１３９-１９９３。
GB/T １４１３９-２００９
硅 外 延 片
１ 范围
本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。
本标准适用于在Ｎ型硅抛光片衬底上生长的ｎ型外延层（Ｎ／Ｎ＋）和在ｐ型硅抛光片衬底上生长的
Ｐ型外延层（Ｐ／Ｐ＋）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照
使用。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T ２８２８．１ 计数抽样检验程序 第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划
（GB/T ２８２８．１-２００３，ISO ２８５９-１：１９９９，ＩＤＴ）
GB/T ６６１７ 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T ６６２４ 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T １２９６２ 硅单晶
GB/T １２９６４ 硅单晶抛光片
GB/T １３３８９ 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂浓度换算规程
GB/T １４１４１ 硅外延层、扩展层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T １４１４２ 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T １４１４５ 硅外延层堆垛层错密度测定 干涉相衬显微镜法
GB/T １４１４６ 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T １４２４６ 半导体材料术语
GB/T １４８４７ 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
ＹＳ/T ２４ 外延钉缺陷的检验方法
３ 技术要求
３．１ 产品分类
３．１．１ 导电类型
产品按导电类型分为ｎ型和ｐ型。
３．１．２ 规格
产品按直径尺寸分为７６．２ｍｍ、１......