路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 14139-2019 | 标准编号 | GB/T 14139-2019 (GB/T14139-2019) | | 中文名称 | 硅外延片 | | 英文名称 | Silicon epitaxial wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,185 | | 发布日期 | 2019-06-04 | | 实施日期 | 2020-05-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 14139-2019
Silicon epitaxial wafers
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 14139-2009
硅 外 延 片
2019-06-04发布
2020-05-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照 GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14139-2009《硅外延片》。本标准与GB/T 14139-2009相比,除编辑性修改外
主要技术变化如下:
---修改了适用范围,将“本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N+)和在p
型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P+)的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体
器件。其他类型的硅外延片可参照适用。”改为“本标准适用于在直径不大于150mm的N型
和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片”(见第1章,2009年版的第1章)。
---规范性引用文件中删除了 GB/T 12962、GB/T 14145、YS/T 24,增加了 GB/T 1550、
GB/T 1555、GB/T 14844、GB/T 19921、GB/T 24578、YS/T 28、SEMIM85(见第2章,2009
年版的第2章)。
---增加了“术语和定义”(见第3章)。
---将产品的牌号和分类单列一章,并修订了牌号表示方法和外延层的晶向(见第4章,2009年版
的3.1)。
---修订了外延片用衬底材料的要求(见5.1,2009年版的3.2)。
---增加了外延层的导电类型、晶向的要求、试验方法、检验规则等(见5.2.1、5.2.2、6.1、6.2、第7
章)。
---外延层电阻率由中心电阻率修订为平均电阻率,并修订了电阻率、电阻率允许偏差及径向电阻
率变化的要求(见5.2.3,2009年版的3.3)。
---外延层厚度由中心厚度修订为平均厚度,并修订了厚度、厚度允许偏差及径向厚度变化的要求
(见5.2.4,2009年版的3.4)。
---增加了外延层纵向电阻率分布及过渡区宽度的要求、试验方法、检验规则等(见5.2.5、6.5、第7
章)。
---修改了外延层位错密度的要求,由“不大于500个/cm2”修订为“应不大于50cm-2”(见5.2.6,
2009年版的3.5.1)。
---增加了表面金属的要求、试验方法及检验规则(见5.2.7、6.7、第7章)。
---删除了大点缺陷的要求(见2009年版的3.6.1)。
---删除了“表面缺陷区域系指直径不大于76.2mm的硅外延片去除边缘2mm环形区域,直径
100mm、125mm和150mm硅外延片去除边缘3mm环形区域的整个表面”(见2009年版的
3.6.2)。
---删除了“表面点状缺陷包括符合GB/T 14264的钉、粘附的颗粒、突起物、夹杂、小丘和棱锥。
使用清洗技术能除去的颗粒不属于点状缺陷”(见2009年版的3.6.3)。
---删除了“崩边是指外延片边缘在径向的缺损深度大于0.3mm的损伤。最大崩边径向深度不
大于0.5mm,累计崩边最大周边长不大于2.5mm”(见2009年版的3.6.4)。
---删除了“雾的定义见GB/T 14264”(见2009年版的3.6.5)。
---删除了“沾污包括色斑、手套印、尘埃、污迹和溶剂残留物”(见2009年版的3.6.6)。
---增加了组批、检验项目的要求(见7.2、7.3)。
---修改了包装要求(见8.1.1,2009年版的6.1.1)。
---增加了订货单(或合同)内容(见第9章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、上海合晶硅材料有限公
司、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司。
本标准主要起草人:张海英、李慎重、蒋玉龙、骆红、胡金枝、卢立延、李素青。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 14139-1993、GB/T 14139-2009。
硅 外 延 片
1 范围
本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明
书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于在直径不大于150mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 6617 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 12964 硅单晶抛光片
GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
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GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14264 半导体材料术语
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GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
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GB/T 24578 硅片表......
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