[PDF] GB/T 14146-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 14146-2009 | 359 | GB/T 14146-2009 | <=3 | 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 14146-2009 (GB/T14146-2009) |
| 中文名称 | 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 |
| 英文名称 | Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 9,948 |
| 发布日期 | 2009-10-30 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 14146-1993 |
| 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1552; GB/T 14847 |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。 |
GB/T 14146-2009
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T １４１４６-２００９
代替GB/T １４１４６-１９９３
硅外延层载流子浓度测定
汞探针电容-电压法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T １４１４６-１９９３《硅外延载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》。
本标准与GB/T １４１４６-１９９３相比，主要有如下变动：
---测量范围由原１０１３ｃｍ-３～１０１８ｃｍ-３改为４×１０１３ｃｍ-３～８×１０１６ｃｍ-３，并增加了对外延层厚
度的测试要求和抛光片的测试适用性；
---增加了引用标准；
---增加了干扰因素；
---试剂中氢氟酸（ρ１．１５ｇ／ｍＬ）改为氢氟酸（分析纯），删除硝酸（ρ１．４ｇ／ｍＬ），增加双氧水（分析
纯），去离子水电阻率由大于２ＭΩ·ｃｍ改为大于１０ＭΩ·ｃｍ；
---对“测量仪器及环境”，“样品处理”，“仪器校准”，“测量步骤”的内容进行了全面修改；
---删除“测量结果的计算”；
---增加了重复性和再现性；
---增加了附录“硅片接触良好测试”的判定指标。
本标准的附录Ａ为规范性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量
监督检验中心。
本标准主要起草人：马林宝 、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １４１４６-１９９３。
GB/T １４１４６-２００９
硅外延层载流子浓度测定
汞探针电容-电压法
１ 范围
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。
本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：４×１０１３ｃｍ-３～８×１０１６ｃｍ-３。
本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。
本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １５５０ 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T １５５２ 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T １４８４７ 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
３ 方法原理
汞探针与硅外延片表面接触，形成一个肖特基势垒。在汞探针与硅外延片之间加一反向偏压，结的
势垒宽度向外延层中扩展。结的势垒电容（C）及其电压（犞）的变化率（ｄC／ｄ犞）与势垒扩展宽度（狓）及
其相应的载流子浓度［N（狓）］有如式（１）和式（２）关系：
N（狓）＝ C
× １
-ｄCｄ（ ）犞
（１）
狓＝ε·ε０·A／C （２）
式中：
狓---势垒扩展宽度，单位为厘米（ｃｍ）；
N（狓）---载流子浓度，单位为每立方厘米（ｃｍ-３）；
C---势垒电容，单位为法（Ｆ）；
ε---相对介电常数，其值为１１．７５；
ε０---真空介电常数，其值为８．８５９×１０-１４，单位为法每厘米（Ｆ／ｃｍ）；
A---汞-硅接触面积，单位为平方厘米（ｃｍ２）。
只要测得C，ｄC／ｄ犞 和A，便可由式（１）和式（２）计算得到势垒扩展宽度狓处的N（狓）。
４ 干扰因素
４．１ 硅片表面和汞的沾污，毛细管的沾污或损伤会造成测试误差和测试不良。
４．２ C-犞 汞探针测量中的肖特基接触不良，常表现为漏......