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| 标准编号 | GB/T 1555-2009 (GB/T1555-2009) | | 中文名称 | 半导体单晶晶向测定方法 | | 英文名称 | Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 8,890 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 1555-1997 | | 引用标准 | GB/T 2481.1; GB/T 2481.2; GB/T 14264 | | 标准依据 | National Standard Approval Announcement 2009 No.12 (Total No.152) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 1555-2009
Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T １５５５-２００９
代替GB/T １５５５-１９９７
半导体单晶晶向测定方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T １５５５-１９９７《半导体单晶晶向测定方法》。
本标准与GB/T １５５５-１９９７相比，主要有如下变化：
---增加了“术语”章；
---增加了“干扰因素”章；
---将原标准定向推荐腐蚀工艺中“硅的腐蚀时间５ｍｉｎ”改为“硅的腐蚀时间３ｍｉｎ～５ｍｉｎ”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人：杨旭、何兰英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB １５５５-１９７９、GB １５５６-１９７９、GB ５２５４-１９８５、GB ５２５５-１９８５、GB ８７５９-１９８８；
---GB/T １５５５-１９９７。
GB/T １５５５-２００９
半导体单晶晶向测定方法
１ 范围
本标准规定了半导体单晶晶向Ｘ射线衍射定向和光图定向的方法。
本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T ２４８１．１ 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第１部分：粗磨粒Ｆ４～Ｆ２２０
GB/T ２４８１．２ 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第２部分：微粉Ｆ２３０～Ｆ１２００
GB/T １４２６４ 半导体材料术语
３ 术语和定义
GB/T １４２６４规定的术语和定义适用于本标准。
方法１ X射线衍射法定向法
４ 方法提要
系列平行平面所形成，当一束平行的单色Ｘ射线射入该平面上，且Ｘ射线照在相邻平面之间的光程差
为其波长的整数倍即狀倍时，就会产生衍射（反射）。利用计数器探测衍射线，根据其出现的位置即可确
狀同时满足下面布喇格定律取值时，Ｘ射线衍射光束强度将达到最大值；
对于立方晶胞结构：
式中：
犪---晶格常数；
镓单晶低指数反射面对于铜靶衍射的θ角取值。
４．２ 通常，单晶的横截面或单晶切割片表面与某一低指数结晶平面如（１００）或者（１１１）平面会有几度的
偏离，用结晶平面与机械加工平面的最大角度偏离加......
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