路径: 主页 > GB/T > 第201页 > GB/T 15861-2012 | 标准编号 | GB/T 15861-2012 (GB/T15861-2012) | | 中文名称 | 离子束蚀刻机通用规范 | | 英文名称 | General specification of ion beam etching system | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L97 | | 国际标准分类 | 31.550 | | 字数估计 | 12,190 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 15861-1995 | | 引用标准 | GB/T 191; GB/T 4857.7-2005; GB/T 5080.7-1986; GB/T 6388-1986; GB/T 13384-1992; SJ/T 142; SJ/T 1276; SJ/T 10674 | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第28号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存。本标准适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机。其他专用离子束蚀刻机亦可参照执行。 | GB/T 15861-2012
General specification of ion beam etching system
ICS 31-550
L97
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 15861-1995
离子束蚀刻机通用规范
2012-11-05发布
2013-02-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 15861-1995《离子束蚀刻机通用技术条件》。
本标准与GB/T 15861-1995相比主要变化如下:
---GB n193-1983由GB/T 13384-1992代替,SJ2573-1985由SJ/T 10674-1995代替;
---环境温度调整为20℃±10℃[见5.1a)];
---束能量范围调整为0~2000eV,可调(见5.4.1);
---表1中束流密度0.5mA/cm2调整为≥0.3mA/cm2,1mA/cm2调整为0.8mA/cm2(见表1);
增加束能量为2000eV时束流密度≥1mA/cm2(见表1);
---有效束径规格增加了ϕ50和ϕ100两种,去掉了ϕ60(见5.4.4);
---中和方式增加了“电子源中和器”(见5.4);
---对束流密度检测方法进行了更清楚的表述(见6.4.2);
---“膜厚均匀性为±5%的蚀刻样片”改为“膜厚均匀性优于±2%、厚度2μm、制备了掩膜图案的
蚀刻样片”(见6.4.10);
---检验规则去掉例行检验项(见7);
---增加包装前检查的条款(见8.2.1)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究所归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所。
本标准主要起草人:陈特超、周大良。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 15861-1995。
离子束蚀刻机通用规范
1 范围
本标准规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、
贮存。
本标准适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机。其他专用离子束蚀刻机亦可参照执行。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 191 包装储运图示标志
GB/T 4857.7-2005 包装 运输包装件基本试验 第7部分:正弦定频振动试验方法
GB/T 5080.7-1986 设备可靠性试验 恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试
验方案
GB/T 6388-1986 运输包装收发货标志
GB/T 13384-1992 机电产品包装通用技术条件
SJ/T 142 电子工业专用设备通用规范
SJ/T 1276 金属镀层和化学处理层质量检验技术要求
SJ/T 10674 涂料涂覆通用技术条件
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
束能量 beamenergy
表征离子束中离子的动能。
注:单位为电子伏特(eV)。
3.2
束流密度 beamcurrentdensity
离子束某一指定截面上单位面积所通过的电流强度。
3.3
......
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