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[PDF] GB/T 15862-2012 - 英文版

标准搜索结果: 'GB/T 15862-2012'
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GB/T 15862-2012 279 GB/T 15862-2012 <=3 离子注入机通用规范
基本信息
标准编号 GB/T 15862-2012 (GB/T15862-2012)
中文名称 离子注入机通用规范
英文名称 General specification of ion implantation equipment
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 L97
国际标准分类 31.550
字数估计 12,113
旧标准 (被替代) GB/T 15862-1995
引用标准 GB/T 191; GB/T 4857.7-2005; GB/T 5080.7-1986; GB/T 13384-1992; GB/T 6388-1986; GB 18209.1; SJ/T 142; SJ/T 1276; SJ/T 10674
标准依据 国家标准公告2012年第28号
发布机构 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
范围 本标准规定了离子注入机的术语、产品分类、技术要求、试验、检验规则和标志、包装、运输、贮存。本标准适用于半导体工艺用电能离子注入机。其他离子注入机亦可参照使用。

GB/T 15862-2012 General specification of ion implantation equipment ICS 31-550 L97 中华人民共和国国家标准 代替GB/T 15862-1995 离子注入机通用规范 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 15862-1995《离子注入机通用技术条件》。 本标准与GB/T 15862-1995相比主要变化如下: ---GB n193-1983由GB/T 13384-1992代替; ---增加术语“注入角度”(见3.6)、“最大晶片传输效率”(见3.7),并在性能指标及测试方法中做 相应要求(见6.4.6); ---环境温度调整为23℃±2℃;相对湿度规定范围30%~50%(见5.1.3); ---安全要求中增加“警示标识”的条款(见6.3.1); ---去掉表3、表4; ---均匀性测量增加了热波探针法测量条件和方法(见6.4.4.1b)); ---重复性测量增加了批间重复性测量方法(见6.4.5.2); ---检验规则去掉例行检验项。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由中国电子技术标准化研究所归口。 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所。 本标准主要起草人:郭健辉、彭立波、罗宏洋。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ---GB/T 15862-1995。 离子注入机通用规范 1 范围 本标准规定了离子注入机的术语、产品分类、技术要求、试验、检验规则和标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于半导体工艺用电能离子注入机。其他离子注入机亦可参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 4857.7-2005 包装 运输包装件基本试验 第7部分:正弦定频振动试验方法 GB/T 5080.7-1986 设备可靠性试验 恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试 验方案 GB/T 6388-1986 运输包装收发货标志 GB/T 13384-1992 机电产品包装通用技术条件 GB 18209.1 机械安全 指示、标志和操作 第1部分:关于视觉、听觉和触觉信号的要求 SJ/T 142 电子工业专用设备通用规范 SJ/T 1276 金属镀层和化学处理层质量检验技术要求 SJ/T 10674 涂料涂覆通用技术条件 3 术语 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 束能量 beamenergy 到达靶上离子所具有的动能。 注:单位为电子伏特(eV)。 3.2 着靶束流 beamcurrentontarget 单位时间内靶上接收到的离子束电荷量。 注:单位为安培(A)。 3.3 均匀性 uniformity......

英文网页English: GB/T 15862-2012

相关标准: SJ/T 11795|GB/T 43725|GB/T 37947.4|GB/T 15861|