路径: 主页 > GB/T > 第238页 > GB/T 15877-2013 | 标准编号 | GB/T 15877-2013 (GB/T15877-2013) | | 中文名称 | 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范 | | 英文名称 | Semiconductor integrated circuits -- Specification of DIP lead frames produced by etching | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L56 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 10,122 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 15877-1995 | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第27号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 15877-2013
Semiconductor integrated circuits - Specification of DIP leadframes produced by etching
ICS 31.200
L56
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 15877-1995
半导体集成电路
蚀刻型双列封装引线框架规范
2013-12-31发布
2014-08-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 15877-1995《蚀刻型双列封装引线框架规范》。与GB/T 15877-1995相比主
要技术变化如下:
---关于第2章规范性引用文件:抽样标准由 GB/T 2828.1-2012代替 SJ/Z9007-1987,
GB/T 14112-1993改为GB/T 14112-2015;增加引用文件GB/T 2423.60-2008、SJ20129;
---第3章增加了标称长度、侧蚀、表面腐蚀、芯片粘接区下陷的术语和定义;
---4.1引线框架尺寸中,删除了引线键合区的最小面积、金属间的间隔的有关内容;
---4.2引线框架形状和位置公差中,删除了精压区共面性、精压区深度的有关内容,增加了绝缘
间隙、芯片粘接区下陷、引线框架内部位置公差的有关要求;
---修改了“侧弯”的要求:原标准根据标称长度进行规定,本标准规定侧弯不超过0.051mm;
---修改了“卷曲”的要求:原标准中仅规定了卷曲变形小于标称条长的0.3%,本标准根据材料的
厚度进行规定;
---修改了“横弯”的要求:原标准根据引线数及条宽数进行规定,本标准根据标称长度进行规定;
---修改了“条带扭曲”的要求:原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm,本标准将框架扭曲修改
为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定;
---修改了“引线扭曲”的要求:原标准中仅规定了引线扭曲不大于0.01mm,本标准规定引线扭曲
不超过3°30';
---修改了“芯片粘接区斜度”的要求:原标准中分别规定了受压和不受压情况下的斜度,本标准统
一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm;
---修改了“芯片粘接区平整度”的要求:本标准将芯片粘接区平面度修改为芯片粘接区平整度,原
标准根据引线数来规定,本标准统一规定为离每边0.127mm处,平整度不大于0.005mm;
---对4.3引线框架外观中相应条款进行了调整,增加了毛刺、凹坑、压痕、划痕、侧蚀和表面腐蚀
的有关要求;
---修改了“局部镀金”的要求:原标准中规定镀金层厚度不小于1.0μm,本标准修改为不小于
0.7μm;
---修改了“局部镀银”的要求:原标准中规定镀银层厚度不小于3.8μm,本标准修改为不小于
3μm;
---修改了“镀层外观”的要求:在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关要求;
---增加了“铜剥离试验”的有关要求;
---增加了“银剥离试验”的有关要求;
---增加了“鉴定批准程序”的有关要求;
---修改了“检验要求”的要求:原标准采用一次性检验方法,本标准修改质量一致性检验为由
A组、B组、C组检验项目组成;修改了“检验要求”中的抽样方案;
---修改了“贮存”的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为六个月。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:宁波东盛集成电路元件有限公司。
本标准起草人:任忠平、尹国钦。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 15877-1995。
半导体集成电路
蚀刻型双列封装引线框架规范
1 范围
本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求和试验方
法及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列(DIP)封装引线框架(镀金及镀银),单列蚀刻型引线框
架亦可参照使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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