[PDF] GB/T 17170-1997 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 17170-1997 | 199 | GB/T 17170-1997 | <=3 | 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 17170-1997 (GB/T17170-1997) |
| 中文名称 | 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 |
| 英文名称 | Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 5,592 |
| 发布日期 | 12/22/1997 |
| 实施日期 | 8/1/1998 |
| 发布机构 | 国家技术监督局 |
| 范围 | 本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10^7Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。 |
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