路径: 主页 > GB/T > 第739页 > GB/T 17573-2026 | 标准编号 | GB/T 17573-2026 (GB/T17573-2026) | | 中文名称 | 半导体器件 总则 | | 英文名称 | Semiconductor devices - General | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 18,148 | | 发布日期 | 2026-03-31 | | 实施日期 | 2026-10-01 | | 旧标准 (被替代) | GB 17498.9-2008 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 17573-2026: 半导体器件 总则
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 17573-1998
半导体器件 总则
2026-03-31发布
2026-10-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
引言 Ⅴ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 2
4 符号 6
4.1 概述 6
4.2 电流、电压和功率的符号 6
4.3 以对数标度单位dB表示的信号比的符号 8
4.4 其他电特性的符号 8
4.5 其他量的符号 10
4.6 极限值表示 11
5 基本额定值和特性 12
5.1 通则 12
5.2 工作条件、额定值和特性之间的关系 12
5.3 数据资料发布的标准格式 13
5.4 型号识别 13
5.5 引出端和引出端极性识别 13
5.6 电额定值和特性 14
5.7 冷却条件 14
5.8 推荐的温度 15
5.9 推荐的电压和电流 15
5.10 机械额定值(极限值) 15
5.11 机械特性 16
5.12 具有公用封装的复合半导体器件 16
6 测试方法 17
6.1 概述 17
6.2 可替代的测试方法 17
6.3 测试精度 17
6.4 对器件和测试设备的保护 17
6.5 测试方法的热条件 18
6.6 测试电路的精度 18
7 分立器件的接收和可靠性 19
7.1 通则 19
7.2 电耐久性试验 20
8 静电敏感器件 22
8.1 标志和符号 23
8.2 对短电压脉冲敏感的半导体器件的试验方法 24
9 产品制造终止通知 24
9.1 定义 24
9.2 制造终止的通用方面 24
9.3 制造终止通知的资料信息 24
9.4 通知 25
9.5 保留 25
附录A(资料性) IEC 60747(所有部分)和IEC 60748(所有部分)的说明 26
A.1 IEC 60747(所有部分)的范围 26
A.2 IEC 60748(所有部分)的范围 26
A.3 IEC 60747(所有部分)和IEC 60748(所有部分)的非IEC Q部分的介绍 27
附录B(资料性) 本文件与上一版(1998年版)章条结构的比较 29
参考文献 34
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替 GB/T 17573-1998《半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则》,与
GB/T 17573-1998相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 删除了“半导体”“转移电子效应”“(半导体器件的)电极”“(混合集成电路的)部分完工集成电
路”“等效热网络热阻”“开启时间ton”等术语(见1998年版的第Ⅳ篇中的2、3.1.1~3.1.3、
3.1.6、3.1.7、3.1.10、3.1.11、3.2、3.7.1、3.7.3~3.7.6、3.8、3.9、4、5.1、5.2.4、5.2.6、5.3.1、5.3.3、
5.3.5、5.3.6、5.4.1、5.4.3~5.4.5、5.5.3~5.5.4、5.6、6、7.1.1、7.1.3、7.2),更改了术语“无源元件”
“有源器件”(见3.2.1、3.2.2,1998年版的第Ⅳ篇中的3.8.2、3.8.1);
b) 删除了“等效输入噪声电压(两端口的)”“等效输入噪声电流(两端口的)”的文字符号(见
1998年版的第Ⅴ篇中的4.5),删除了“电流、电压和功率文字符号的摘要表”(见1998年版的
第Ⅴ篇中的2.3);
c) 更改了“周期量值应用示例”“复合器件的下标”中的示例“电流、电压极性表示”“关于下标的补
充规定”中的内容(见4.2.1、4.2.7、4.2.8,1998年版的第Ⅴ篇中的2.4、2.2.3.5、2.5、2.2.3),增加
了“微分”(见4.4.4)、时间下标(见4.5.2)和“极限值表示”(见4.6);
d) 删除了“3.1 定义”(见1998年版的第Ⅵ篇中的3.1),双极型晶体管基极、发射极和集电极引
出端的位置(见1998年版的第Ⅵ篇中的8.1),具有四个引出端的高频双极型晶体管的引出端
位置(见1998年版的第Ⅵ篇中的8.2),更改了引出端和引出端极性识别(见5.5,1998年版的
第Ⅵ篇中的第9章)、推荐温度(见5.8,1998年版的第Ⅵ篇中的第5章)、冷却条件(见5.7,
1998年版的第Ⅵ篇中的第4章)、推荐电压和电流(见5.9,1998年版的第Ⅵ篇中的第6章)、
产品的离散性和一致性(见5.2.3,1998年版的第Ⅵ篇中的第11章)、机械特性“尺寸”说明(见
5.11.1,1998年版的第Ⅵ篇中的7.3)、具有公用封装的复合半导体器件(见5.12,1998年版的
第Ⅵ篇中的第10章),增加了“工作条件、额定值和特性之间的关系”(见5.2)、“电额定值和特
性”(见5.6)、“安装条件”(见5.10.2);
e) 更改了测试精度(见6.3,1998年版的第Ⅶ篇中的2.2)、对器件和测试设备的保护(见6.4,
1998年版的第Ⅶ篇中的2.1)、测试方法的热条件(见6.5,1998年版的第Ⅶ篇中的2.2.1)、测试
电路的精度(见6.6,1998年版的第Ⅶ篇中的2.2.2~2.2.5和2.3),增加了可替代的测试方法
(见6.2);
f) 删除了“特殊要求(通用部分)”中的耐久性试验表、耐久性试验条件、耐久性试验后,接收的判
定失效特性和失效判据、可靠性试验的判定失效特性和失效判据、表Ⅰ“耐久性试验后,接收试
验的判定失效特性”和表Ⅱ“耐久性试验的条件”(见1998年版的第Ⅷ篇中的3.1~3.4、
3.6),更改了支撑点温度要求(见7.2.3.1,1998年版的第Ⅷ篇中的2.1.2)、试验持续时间的列
表示例数值(见7.2.8,1998年版的第Ⅷ篇中的2.2.1);
g) 删除了静电敏感器件操作注意事项(见1998年版的第Ⅸ篇的第1章),短电压脉冲敏感的半导
体器件的试验方法试验电路和说明、遵守的预防措施、试验程序、规定的条件(见1998年版的
第Ⅸ篇的3.2~3.5);
h) 增加了产品制造终止通知(见第9章)。
本文件等同采用IEC 60747-1:2006《半导体器件 第1部分:总则》。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---为与我国现有标准体系协调,将标准名称改为《半导体器件 总则》;
---纳入了IEC 60747-1:2006/AMD1:2010的修正内容,所涉及的条款的外侧页边空白位置用垂
直双线(||)进行了标示;
---第4章4.3示例中“log”更正为“lg”;
---第8章“图4a)”和“图4b)”更正为“图3a)”和“图3b)”。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、华东光电
集成器件研究所、淄博芯材集成电路有限责任公司、石家庄天林石无二电子有限公司、西安电子科技大
学、天津大学、中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区、常州银河世纪微电子股份有限公司、江西万年
晶半导体有限公司、迅芯微电子(苏州)股份有限公司、西安空间无线电技术研究所、深圳通锐微电子技
术有限公司、新启航半导体有限公司、北京伊泰克电子有限公司、深圳市朗帅科技有限公司、广东方舟智
造科技有限公司、广州正业电子科技股份有限公司、北京市科通电子继电器总厂有限公司、山东阅芯电
子科技有限公司。
本文件主要起草人:刘涛、陈丙根、迟雷、覃祥丽、赵玉玲、王宇涛、吕瑞芹、焦龙飞、桂明洋、彭浩、
席善斌、胡松祥、曹耀龙、安伟、王冲、郑雪峰、王超、孙宏军、杨洁、贾林、陈亚洲、胡小锋、周晓黎、张文华、
陈龙坡、高金环、闫彦萍、庄建军、白俊春、李崧岩、唐旭、陈娜、张恒、王庭云、任源、邓家榆、孔令海、王正克、
赖耀康、朱阳军。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---1998年首次发布为GB/T 17573-1998;
---本次为第一次修订。
引 言
半导体器件是电子行业的通用基础产品,为电子系统中的最基本单元,其性能与可靠性直接影响工
程质量和可靠性。本文件是半导体器件产品标准,是半导体器件进行研制生产和检验的基础性和通用
性标准,对于规范半导体器件的参数体系、验证、测试方法及质量考核起着重要作用。
半导体器件 总则
1 范围
本文件规定了适用于IEC 60747其他部分及IEC 60748(所有部分)所涵盖的半导体分立器件和集
成电路的通用要求(见附录A)。
注:本文件与上一版(1998年版)章条结构的比较见附录B。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
vocabulary)
注:GB/T 19000-2016 质量管理体系 基础和术语(ISO 9000:2015,IDT)
注:GB/T 2987-1996 电子管参数符号(IEC 60027-1:1992、IEC 60027-2:1972,NEQ)
IEC 60050-521 国际电工词汇(IEV) 第521部分:半导体器件和集成电路[InternationalElec-
注:GB/T 2900.66-2004 电工术语 半导体器件和集成电路[IEC 60050-521:2002,ID......
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