路径: 主页 > GB/T > 第432页 > GB/T 19921-2018 | 标准编号 | GB/T 19921-2018 (GB/T19921-2018) | | 中文名称 | 硅抛光片表面颗粒测试方法 | | 英文名称 | Test method for particles on polished silicon wafer surfaces | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 30,380 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-07-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 19921-2005 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 19921-2018
Test method for particles on polished silicon wafer surfaces
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 19921-2005
硅抛光片表面颗粒测试方法
2018-12-28发布
2019-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 方法提要 4
5 干扰因素 5
6 设备 7
7 测试环境 7
8 参考样片 8
9 校准 8
10 测试步骤 9
11 精密度 9
12 试验报告 9
附录A(规范性附录) 针对130nm~11nm线宽技术用硅片的扫描表面检查系统的要求指南 11
附录B(规范性附录) 测定扫描表面检查系统XY 坐标不确定性的方法 18
附录C(规范性附录) 采用覆盖法确定扫描表面检查系统俘获率和虚假计数率的测试方法 20
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 19921-2005《硅抛光片表面颗粒测试方法》,与GB/T 19921-2005相比,除编
辑性修改外主要技术变化如下:
---修改了适用范围(见第1章,2005年版第1章)。
---规范性引用文件中删除了ASTMF1620-1996、ASTMF1621-1996和SEMIM1-0302,增加了
GB/T 6624、GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14264、GB/T 25915.1、GB/T 29506、SEMI
M35、SEMIM52、SEMIM53及SEMIM58(见第2章,2005年版第2章)。
---术语和定义中删除了分布图、亮点缺陷、漏报的计数、微粗糙度、重复性、再现性、划痕,增加了
晶体原生凹坑、虚假计数率、累计虚假计数率、变化率水平、静态方法、动态方法、匹配公差、标
准机械接口系统的定义,并根据GB/T 14264修改了部分已有术语的定义(见第3章,2005年
版第3章)。
---方法提要中增加了关于局部光散射体、延伸光散射体及晶体原生凹坑、雾的测试原理(见4.1、
4.3、4.4、4.5)。
---根据测试方法使用情况,增加了影响测试结果的干扰因素(见5.2、5.4、5.10、5.12、5.13、5.14、
5.16、5.19、5.20、5.21、5.23)。
---修改了测试设备,明确分为晶片夹持装载系统、激光扫描及信号收集系统、数据分析、处理、传
输系统、操作系统和机械系统(见第6章,2005年版第6章)。
---增加了“测试环境”,将原标准方法概述中对环境的描述列为第7章条款(见第7章,2005年版
第4章)。
---参考样片中增加了关于“凹坑”和“划伤”参考样片的内容(见8.10、8.11)。
---将“除上述沉积聚苯乙烯乳胶球的参考样片外,有条件的用户可选择对扫描表面检查系统的定
位准确性能力进行测定的参考样片。详见ASTMF121-96中第8章参考样片”修改为“应选
择具有有效证书的样片作为参考样片,参考样片应符合SEMIM53中的规定”(见8.1,2005年
版7.9)。
---细化了使用参考样片校准扫描表面检查系统的程序(9.2),增加了9.3中通过重复校准来确认
系统的稳定性的要求;增加了9.4中的“在静态或动态方法条件下,测试确定扫描表面检查系
统的XY 坐标不确定性”的要求;增加了9.5“对扫描表面检查系统的虚假计数进行评估,获得
测试系统的俘获率、乳胶球尺寸的标准偏差、虚假计数率和累计虚假计数率”的要求;在9.6中
进行设备校准前后测试结果的比对,增加了“有条件的可进行多台扫描表面检查系统的比对,
并进行匹配公差计算”;增加了9.7“推荐使用8.10、8.11中的凹坑或划伤尺寸的参考样片来规
范晶片表面的凹坑及划伤。也可将相关的标准模型保存在扫描表面检查系统的软件中”的内
容(见第9章,2005年版第8章)。
---根据试验结果修改了精密度的内容(第11章,2005年版第11章)。
---增加了规范性附录A、规范性附录B、规范性附录C(见附录A、附录B、附录C)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限
公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、刘卓、冯泉林、徐新华、张海英、骆红、刘义、杨素心、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 19921-2005。
硅抛光片表面颗粒测试方法
1 范围
本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试,
对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130nm~11nm
线宽工艺用硅片,本标准提供了扫描表面检查系统的设置。
本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及
分类,也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类,对硅抛光片和外
延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光
片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。
注:本标准中将硅、锗、砷化镓材料的抛光片和外延片及其他材料的镜面抛光片、外延片等统称为晶片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 12964 硅单晶抛光片
GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片
GB/T 14139 硅外延片
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25915.1 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
GB/T 29506 300mm硅单晶抛光片
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