[PDF] GB/T 24366-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 24366-2009 | 359 | GB/T 24366-2009 | <=3 | 通信用光电探测器组件技术要求 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 24366-2009 (GB/T24366-2009) |
| 中文名称 | 通信用光电探测器组件技术要求 |
| 英文名称 | Technical requirements of optoelectronic detector module for communication |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | M33 |
| 国际标准分类 | 33.180.01 |
| 字数估计 | 9,919 |
| 发布日期 | 2009-09-30 |
| 实施日期 | 2009-12-01 |
| 引用标准 | GB/T 11499-2001; GB/T 15651.2-2003; SJ/T 11363-2006; ITU-T G.657-2006; ITU-T G.957-2006 |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第10号(总第150号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了通信用光电探测器组件的技术要求。本标准适用于数字应用光通信系统以及模拟应用光通信系统中的光电探测器组件。 |
GB/T 24366-2009
Technical requirements of optoelectronic detector module for communication
ICS ３３．１８０．０１
M３３
中华人民共和国国家标准
GB/T ２４３６６-２００９
通信用光电探测器组件技术要求
２００９-０９-３０发布
２００９-１２-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
《通信用光电探测器组件》系列标准包括：
---《通信用光电探测器组件测试方法》；
---《通信用光电探测器组件技术要求》。
本标准与GB/T ２４３６５《通信用光电探测器组件测试方法》配套使用。
本标准在编制的过程中，参照了IEC ６２００７-１：１９９９《光纤系统用半导体光电器件 第１部分：基本
额定值和特性》的第６部分和第７部分，并结合我国光通信用光探测器组件的情况而制定。
本标准在起草过程中，注意到与下列标准的协调一致：
---GB/T １５６５１．２-２００３《半导体分立器件和集成电路 第５-２部分：光电子器件 基本额定值
和特性》；
---GB/T １８９０４．４-２００２《半导体器件 第１２-４部分：光电子器件 纤维光学系统或子系统用
带／不带尾纤的ｐｉｎ-ＦＥＴ模块空白详细规范》；
---GB/T １８９０４．５-２００３《半导体器件 第１２-５部分：光电子器件 纤维光学系统或子系统用
带／不带尾纤的ｐｉｎ光电二极管空白详细规范标准》。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国通信标准会协会归口。
本标准起草单位：武汉邮电科学研究院、深圳新飞通光电子技术有限公司。
本标准主要起草人：杨现文、李世瑜、孟湘、李春芳、镇磊。
GB/T ２４３６６-２００９
通信用光电探测器组件技术要求
１ 范围
本标准规定了通信用光电探测器组件的技术要求。
本标准适用于数字应用光通信系统以及模拟应用光通信系统中的光电探测器组件。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １１４９９-２００１ 半导体分立器件文字符号
GB/T １５６５１．２-２００３ 半导体分立器件和集成电路 第５-２部分：光电子器件 基本额定值和
特性
ＳＪ/T １１３６３-２００６ 电子信息产品中有毒有害物质的限量要求
ＩＴＵ-ＴＧ．６５７（２００６） 接入网使用的弯曲损耗不敏感的单模光纤和光缆的特性
ＩＴＵ-ＴＧ．９５７（２００６） 与同步数字体系有关的设备和系统的光接口
３ 术语和定义、缩略语
３．１ 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
３．１．１
在规定调制速率和规定的正弦抖动加压条件下，并满足随机比特差错率要求时，光接收机在Ｒ点
（见ＩＴＵ-ＴＧ．９５７图１）所能接收到的最小光调制幅度ＯＭＡ。它考虑了在应用条件下，光接收机所具
有并允许的最坏消光比、脉冲上升和下降时间、光发射侧的光回损，连接器性能劣化和测试容差所引起
的功率代价。
３．１．２
输入光功率等于零，逐渐增加ＡＰＤ的反向偏压，暗电流随之增大，当暗电流达到１０μＡ（或１００μＡ）
时所对应的反向偏压称为ＡＰＤ的击穿电压。
３．１．３
ＡＰＤ在规定温度、光波长、光功率和反向偏压下，有培增时的光电流IＬ 与无倍增时光电流IＬＯ之比。
３．１．４
在某一频率范围内的响应值偏离其最佳拟合直线的最大值。
３．１．......