标准搜索结果: 'GB/T 24574-2009'
| 标准编号 | GB/T 24574-2009 (GB/T24574-2009) | | 中文名称 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | | 英文名称 | Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 12,145 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 引用标准 | GB/T 13389; GB/T 24581 | | 采用标准 | SEMI MF1389-0704, MOD | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了硅单品中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单品硅中含量为1×10^(11)at·cm^(-3)～5×10^(15)at·cm^(-3)的各种电活性杂质元素。 | GB/T 24574-2009
Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ２４５７４-２００９
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的
光致发光测试方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准修改采用ＳＥＭＩＭＦ１３８９-０７０４《Ⅲ-Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法》。
本标准对ＳＥＭＩＭＦ１３８９-０７０４格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录Ｂ中列出了本标准
章条和ＳＥＭＩＭＦ１３８９-０７０４章条对照一览表。并对ＳＥＭＩＭＦ１３８９-０７０４条款的修改处用垂直单线标
识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与ＳＥＭＩＭＦ１３８９-０７０４相比，主要技术差异如下：
---删除了 “目的”、“术语和定义”中的讨论部分、“偏差”和“关键词”等章节的内容；
---删除了ＳＥＭＩＭＦ１３８９-０７０４中对砷铝含量测定的内容；
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准ＳＥＭＩＭＦ１３８９-０７０４中的精度和偏
差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录Ａ。
本标准的附录Ａ和附录Ｂ为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研
究所。
本标准主要起草人：李静、何秀坤、蔺娴。
GB/T ２４５７４-２００９
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的
光致发光测试方法
１ 范围
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为１×１０１１ａｔ·ｃｍ-３～５×１０１５ａｔ·ｃｍ-３的各种电活性杂质元素。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １３３８９ 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂物浓度换算规程
GB/T ２４５８１ 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法
３ 术语和定义
下列术语和定义适应于本标准。
３．１
由硅中缺陷产生的那些特征吸收。
３．２
由光激发产生的激子气体的冷凝相（液体）。
３．３
是由一个空位晶格（自由激子）或杂质原子点（束缚激子）结合在一起的能发光的电子空穴对。
３．４
由晶格中的杂质原子点（束缚激子）捕获激子而产生的光荧光谱。
在４．２Ｋ温度下非本征激子的结合能，它的能量比本征发射低得多。Ｘ是杂质元素符号，ＢＥ表示
束缚激子荧光谱。非本征荧光同样包括特征吸收，是因为束缚的多个激子复合（ｂ１，ｂ２，ｂ３分别表示第
一、第二和第三束缚的多个激子复合）。在施主荧光谱中，这些复合在ＴＯ区域出现了两个系列的谱线，
叫做α系列和β系列。在符号后面加撇号来表示弱的β系列特......
|