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| 标准编号 | GB/T 24578-2015 (GB/T24578-2015) | | 中文名称 | 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 | | 英文名称 | Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 15,161 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 24578-2009 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 24578-2015
Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
ICS 77.040
H17
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射
X光荧光光谱测试方法
2015-12-10发布
2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 24578-2009《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》。
本标准与GB/T 24578-2009相比,主要变化如下:
---扩大了标准适用范围,除适用于硅抛光片、外延片外,同样适用于测定砷化镓、碳化硅、SOI等
材料镜面抛光晶片表面的金属沾污(见第1章);
---干扰因素中增加了晶片表面对测试结果的影响(见第6章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研新材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验
中心。
本标准主要起草人:孙燕、李俊峰、楼春兰、潘紫龙、朱兴萍。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 24578-2009。
硅片表面金属沾污的全反射
X光荧光光谱测试方法
1 范围
1.1 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱,定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标
准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片),尤其适用于硅片清洗后自然氧化层,或经化学方法生长
的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围为109atoms/cm2~1015atoms/cm2。本标准同样适用于
其他半导体材料,如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。
1.2 对良好的镜面抛光表面,可探测深度约5nm,分析深度随表面粗糙度的改善而增大。
1.3 本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于测定以下元素:钾、钙、
钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。
1.4 本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白
值。对恒定的设备参数,无干扰检测限是元素原子序数的函数,其变化超过两个数量级。重复性和检测
限的关系见附录A。
1.5 本方法是非破坏性的,是对其他测试方法的补充,与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的
标定参见附录B。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB 50073-2013 洁净厂房设计规范
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
掠射角 glancingangle
全反射X光荧光光谱测试方法中X射线的入射角度。
3.2
角扫描 anglescan
作为掠射角函数,对发射的荧光信号的......
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