路径: 主页 > GB/T > 第394页 > GB/T 24580-2009 | 标准编号 | GB/T 24580-2009 (GB/T24580-2009) | | 中文名称 | 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 | | 英文名称 | Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,148 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 引用标准 | ASTM E122 | | 采用标准 | SEMI MF1528-1104, MOD | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量棚沾污(总量)的测试。本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(1×10^20atoms/cm^3)的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于棚为非故意掺杂的p型杂质, 且其浓度为痕最水平(<5×10^14 atoms/cm^3)的硅材料的测试。本标准适用于检测棚沾污浓度大于SIMS仪器检测限(根据仪器的型号不同, 检测限大约在5×10^12 atoms/cm^3～5×10^ | GB/T 24580-2009
Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ２４５８０-２００９
重掺狀型硅衬底中硼沾污的
二次离子质谱检测方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准修改采用ＳＥＭＩＭＦ１５２８-１１０４《用二次离子质谱法测量重搀杂Ｎ型硅衬底中的硼污染的方
法》。本标准对ＳＥＭＩＭＦ１５２８-１１０４格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录Ｂ中列出了
本标准章条和ＳＥＭＩＭＦ１５２８-１１０４章条对照一览表。并对ＳＥＭＩＭＦ１５２８-１１０４条款的修改处用垂直
单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与ＳＥＭＩＭＦ１５２８-１１０４相比，主要技术差异如下：
---去掉了“目的”、“关键词”；
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中
的精度和偏差部分作为资料性附录Ａ。
本标准附录Ａ和附录Ｂ为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研
究所。
本标准主要起草人：马农农、何友琴、丁丽。
GB/T ２４５８０-２００９
重掺狀型硅衬底中硼沾污的
二次离子质谱检测方法
１ 范围
１．１ 本标准规定了重掺ｎ型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱
法（ＳＩＭＳ）对重掺ｎ型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污（总量）的测试。
１．２ 本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度＜０．２％（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）的硅材料中硼浓度的检测。
特别适用于硼为非故意掺杂的ｐ型杂质，且其浓度为痕量水平（＜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）的硅材料的
测试。
１．３ 本标准适用于检测硼沾污浓度大于ＳＩＭＳ仪器检测限（根据仪器的型号不同，检测限大约在
５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～５×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）两倍的硅材料。
１．４ 原则上，本标准对于不同表面情况的样品都适用，但是本标准中的精度估算值是从表面抛光样品
的测试数据中得到的。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
ＡＳＴＭＥ１２２ 评价一批产品或一个工艺过程质量的样品大小的选择规范
３ 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
３．１
根据质荷比的不同将离子分开并计数。
３．２
由离子枪产生的离子，聚焦到样品表面，溅射并离化样品表面原子。
３．３
对样品表面溅射出来的二次离子进行质谱分析。
３．４
在一次离子束的溅射下，样品表面原子离化并脱离样品表面形成的离子。
４ 试验方法概要
二次离子质谱法用于重掺ｎ型硅衬底单晶体材料中硼沾污的......
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