[PDF] GB/T 24582-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 24582-2009 | 319 | GB/T 24582-2009 | <=3 | 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 24582-2009 (GB/T24582-2009) |
| 中文名称 | 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质 |
| 英文名称 | Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 8,833 |
| 发布日期 | 2009-10-30 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
| 引用标准 | ISO 14644-1; SEMI C28; SEMI C30; SEMI C35; ASTM D5127 |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质, 并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、钢、锌以及其他元素如铝的检测。本标准适用于各种棒、块、粒、片状多品表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则, 面积很难准确测定, 故根据样品重量计算结果, 使用的样品重量为50g～300g, 检测限为0.01ng/mL 。酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样 |
GB/T 24582-2009
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ２４５８２-２００９
酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定
多晶硅表面金属杂质
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（ＳＡＣ/TＣ２０３）提出并归口。
本标准负责起草单位：新光硅业科技责任有限公司。
本标准主要起草人：王波、过惠芬、吴道荣、梁洪、敖细平。
GB/T ２４５８２-２００９
酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定
多晶硅表面金属杂质
１ 范围
１．１ 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表
面上的金属杂质痕量分析方法。
１．２ 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝
的检测。
１．３ 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积
很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为５０ｇ～３００ｇ，检测限为０．０１ｎｇ／ｍＬ。
１．４ 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方
法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的１％。
１．５ 本标准适用于重量为２５ｇ～５０００ｇ的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的
重量为约３００ｇ。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
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３ 术语、定义和缩略语
３．１ 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
３．１．１
用来做空白的酸以及操作中含有微量金属杂质的浸取酸。
３．１．２
不加样品，经过浸取和分析过程的一个酸样品，用于监......