[PDF] GB/T 25076-2010 - 英文版

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GB/T 25076-2010 319 GB/T 25076-2010 <=3 太阳电池用硅单晶
   
基本信息
标准编号 GB/T 25076-2010 (GB/T25076-2010)
中文名称 太阳电池用硅单晶
英文名称 [Replaced by GB/T 25076-2018] Monocrystalline silicon of solar cell
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 H80
国际标准分类 29.045
字数估计 8,812
发布日期 2010-09-02
实施日期 2011-04-01
引用标准 GB/T 1550; GB/T 1552; GB/T 1553; GB/T 1554; GB/T 1555; GB/T 1557; GB/T 1558; GB/T 6616; GB/T 11073; GB/T 14140; GB/T 14264; SEMI MF1535
标准依据 国家标准批准发布公告2010年第4号(总第159号)
发布机构 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
范围 本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法, 检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

GB/T 25076-2010 Monocrystalline silicon of solar cell ICS 29.045 H80 中华人民共和国国家标准 太阳电池用硅单晶 2010-09-02发布 2011-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准由有研半导体材料股份公司、万向硅峰电子股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、西安 隆基硅材料有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司起草。 本标准主要起草人:孙燕、张果虎、卢立延、楼春兰、蒋建国、曹宇、孙世龙、袁文强。 太阳电池用硅单晶 1 范围 本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法,检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 SEMIMF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法 3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 技术要求 4.1 分类 硅单晶按导电类型分为p型,n型两种类型;按外形可分为圆形硅单晶棒和准方形硅单晶棒。 4.2 规格 圆形硅单晶棒分为直径ϕ150mm 和ϕ200mm,准方形硅单晶棒尺寸为125mm×125mm 和 156mm×156mm......

相关标准: GB/T 16595  GB/T 14264  GB/T 29057  GB/T 25076