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| 标准编号 | GB/T 25076-2018 (GB/T25076-2018) | | 中文名称 | 太阳能电池用硅单晶 | | 英文名称 | Monocrystalline silicon for solar cell | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,126 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 25076-2010 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 25076-2018
Monocrystalline silicon for solar cell
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 25076-2010
太阳能电池用硅单晶
2018-09-17发布
2019-06-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 25076-2010《太阳电池用硅单晶》,与GB/T 25076-2010相比主要技术变化如下:
---将标准名称《太阳电池用硅单晶》修改为《太阳能电池用硅单晶》;
---修改了适用范围,将“适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶”改为“适用于直拉掺
杂制备的圆形硅单晶经加工成的准方形或方形硅单晶。产品用于切割成硅片后进一步制作地
面太阳能电池”(见第1章,2010年版的第1章);
---增加了引用文件GB/T 1551、GB/T 14844、GB/T 26068、GB/T 32651及YS/T 28、YS/T 679,删
除了GB/T 1552、GB/T 1553、SEMIMF1535(见第2章);
---增加了牌号的规定(见4.1);
---将2010年版中第4章技术分类中的4.1分类和4.2规格单独列为一章,即增加了“第4章牌号
及分类”;将按外形分类由原来的圆形和准方形(2010年版的4.1)改为准方形和方形;删除了
圆形硅单晶规格,增加了方形硅单晶的规格(见4.1、4.2);
---删除了圆形硅单晶的尺寸要求(见2010年版的4.3.1),修改了准方形硅单晶的端面尺寸要求
(见图1和表1,2010年版的图1和表2),增加了方形硅单晶的端面尺寸要求(见图2和表2);
---将垂直度单列为一条,并增加了“准方形或方形硅单晶的端面垂直度应不大于1mm”的要求
(见5.1.3);
---电阻率范围下限由0.5Ω·cm改为P型0.2Ω·cm、N型0.1Ω·cm(见表3,2010年版的表3);
---修改了硅单晶的间隙氧含量要求,由小于1.3×1018atoms/cm3 改为P型应不大于1.1×
1018atoms/cm3,N型应不大于1.0×1018atoms/cm3,或由供需双方协商确定(见5.4,2010年版的
4.6);
---修改了硅单晶的代位碳含量要求,由不大于1.0×1017atoms/cm3 改为P型应不大于1.0×
1017atoms/cm3,N型应不大于5.0×1016atoms/cm3,或由供需双方协商确定(见5.5,2010年
版的4.7);
---晶体完整性中增加了无滑移位错的要求(见5.6);
---增加了硅单晶的体金属含量的要求(见5.7);
---增加了表面质量的要求(见5.8);
---增加了体金属和表面质量的试验方法、检验项目及检验结果判定的内容(见6.10、6.11、7.3、
7.4、7.5.3);
---将取样和抽样合并改为表格的形式(见表4,2010年版的6.4和6.5)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、隆基绿能科技股份有限
公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技有限公司、洛
阳鸿泰半导体有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院。
本标准主要起草人:孙燕、张果虎、楼春兰、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、李洋、蒋建国、
张鹏。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 25076-2010。
太阳能电池用硅单晶
1 范围
本标准规定了太阳能电池用硅单晶(简称硅单晶)的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标
志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片
后进一步制作太阳能电池。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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