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| 标准编号 | GB/T 26065-2010 (GB/T26065-2010) | | 中文名称 | 硅单晶抛光试验片规范 | | 英文名称 | Specification for polished test silicon wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 18,124 | | 发布日期 | 1/10/2011 | | 实施日期 | 10/1/2011 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1554; GB/T 1555; GB/T 1557; GB/T 2828.1; GB/T 4058; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6619; GB/T 6620; GB/T 6621; GB/T 6624; GB/T 11073; GB/T 12964; GB/T 13387; GB/T 13388; GB/T 14140; GB/T 14264; YS/T 26; SEMI 24; ASTM F1526 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2011年第1号(总第166号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm~300mm 所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 对于更高要求的硅单晶抛光片规格, 如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等, 参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。 | GB/T 26065-2010
Specification for polished test silicon wafers
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
硅单晶抛光试验片规范
2011-01-10发布
2011-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
本标准主要起草人:宫龙飞、何良恩、许峰、黄笑容、刘培东、王飞尧。
硅单晶抛光试验片规范
1 范围
1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm~300mm所有
标准直径的硅抛光试验片技术要求。
1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格,如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控
片等,参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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