标准搜索结果: 'GB/T 26069-2010'
| 标准编号 | GB/T 26069-2010 (GB/T26069-2010) | | 中文名称 | 硅退火片规范 | | 英文名称 | Specification for silicon annealed wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,130 | | 发布日期 | 1/10/2011 | | 实施日期 | 10/1/2011 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1554; GB/T 1555; GB/T 1557; GB/T 2828.1; GB/T 4058; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6620; GB/T 6621; GB/T 6624; GB/T 11073; GB/T 13387; GB/T 13388; GB/T 14140; GB/T 14144; GB/T 14264; GB/T 19921; GB/T 24578; YS/T 26 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2011年第1号(总第166号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求, 试验方法, 检验规则等。本标准适用于线宽180nm, 130nm和90nm工艺退火硅片。 | GB/T 26069-2010
Specification for silicon annealed wafers
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
硅 退 火 片 规 范
2011-01-10发布
2011-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)负责
归口。
本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限
公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草。
本标准主要起草人:楼春兰、孙燕、朱兴萍、宫龙飞、王飞尧、黄笑容、方强、汪成生、程国庆。
硅 退 火 片 规 范
1 范围
本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。
本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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