标准搜索结果: 'GB/T 29054-2012'
| 标准编号 | GB/T 29054-2012 (GB/T29054-2012) | | 中文名称 | 太阳能级铸造多晶硅块 | | 英文名称 | Solar-grade casting multi-crystalline silicon brick | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,724 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551; GB/T 1553; GB/T 1557; GB/T 1558; GB/T 6616; GB/T 14264; SEMI PVI-0709 | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第41号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。 | GB/T 29054-2012
Solar-grade casting multi-crystalline silicon brick
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
太阳能级铸造多晶硅块
2012-12-31发布
2013-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、西安隆基硅
材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。
本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、薛抗美、张群社、孙世龙、游达、朱华英、金虹、刘林艳、段育红。
太阳能级铸造多晶硅块
1 范围
本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、
运输、贮存等。
本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 14264 半导体材料术语
SEMIPV1-0709 利用高质量分辨率辉光放电质谱测量光伏级硅中微量元素的方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
硅块 siliconbrick
一种块状半导体,通常为尺寸均匀的长方体,由多晶硅锭或单晶硅棒切割而成。
4 分类
产品按外形尺寸(长×宽)分为125mm×125mm和156mm×156mm,且有效高度应≥100mm,
或由供需双方协商。
5 要求
5.1 外观质量
5.1.1 在有效高度内无目视可见裂纹、崩边、缺口。
5.1.2 红......
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