标准搜索结果: 'GB/T 29055-2012'
| 标准编号 | GB/T 29055-2012 (GB/T29055-2012) | | 中文名称 | 太阳电池用多晶硅片 | | 英文名称 | Multi-crystalline silicon wafer for solar cell | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,760 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551; GB/T 2828.1; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6619; GB/T 14264; GB/T 29054; SEMI MF1535 | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第41号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。 |
GB/T 29055-2012
Multi-crystalline silicon wafer for solar cell
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
太阳电池用多晶硅片
2012-12-31发布
2013-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、无锡尚德太
阳能电力有限公司。
本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、孙世龙、游达、朱华英、刘林艳、段育红。
太阳电池用多晶硅片
1 范围
本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检
测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块
SEMIMF1535 用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
密集线痕 densesawmark
硅块切割时,在硅片表面留下的密集型划痕。
4 外形尺寸分类
太......
|