路径: 主页 > GB/T > 第249页 > GB/T 30118-2013 | 标准编号 | GB/T 30118-2013 (GB/T30118-2013) | | 中文名称 | 声表面波(SAW)器件用单晶晶片 规范与测量方法 | | 英文名称 | Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications -- Specifications and measuring methods | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L21 | | 国际标准分类 | 31.140 | | 字数估计 | 32,368 | | 引用标准 | GB/T 2828.1; GB/T 3352; GB/T 3505; GB/T 6618 | | 采用标准 | IEC 62276-2005, MOD | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第25号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸鎵镧(LGS)等单晶晶片等。本标准适用于人造石英、铌酸锂(LN), 钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸鎵镧(LGS)等单晶晶片。这些单晶晶片用作声表面波(SAW)滤波器和谐振器等基片材料。 | GB/T 30118-2013
ICS 31.140
L21
中华人民共和国国家标准
声表面波(SAW)器件用单晶晶片
规范与测量方法
(IEC 62276:2005,MOD)
2013-12-17发布
2014-05-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 技术要求 6
4.1 材料 6
4.2 晶片 6
5 抽样 10
5.1 概述 10
5.2 抽样 10
5.3 抽样方案 10
5.4 全数检验 10
6 检验方法 10
6.1 直径 10
6.2 厚度 11
6.3 OF长度 11
6.4 OF方向 11
6.5 TV5 11
6.6 翘曲度 11
6.7 TTV 11
6.8 晶片正面缺陷 11
6.9 包裹体 11
6.10 背面粗糙度 11
6.11 晶片方向 11
6.12 居里温度 11
6.13 晶格常数 11
7 包装、标签和标识、交货条件 12
7.1 包装 12
7.2 标签和标识 12
7.3 交货条件 12
8 居里温度的测量 12
8.1 概述 12
8.2 DTA测量方法 12
8.3 介电常数方法 13
9 晶格常数的测量(Bond方法) 13
10 用X-射线(定向仪)测量晶面角度(定向)的方法 14
10.1 测量原理 14
10.2 测量方法 15
10.3 晶片取向的测量 15
10.4 OF方向的测量 15
10.5 典型的晶片切型和参考平面 15
11 晶片正面检查方法 16
附录A(规范性附录) 压电单晶的欧拉角表示法 17
附录B(资料性附录) SAW晶片制作工艺 20
附录C(资料性附录) 本标准与IEC 62276:2005的技术性差异及其原因 26
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准使用翻译法修改采用IEC 62276:2005《声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法》。
本标准在采用国际标准时进行了修改。这些技术性差异用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页
边空白处。在附录C中给出了技术性差异及其原因的一览表以供参考。
本标准还作了下列编辑性修改:
---删除了IEC 标准前言。
---在引用标准中,用GB/T 3505《产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及
表面结构参数》代替ISO 4287;用GB/T 2828.1《计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量
限(AQL)检索的逐批检验抽样计划》代替IEC 60410;用GB/T 3352《人造石英晶体 规范与
使用指南》代替IEC 60758;此外,还增加了GB/T 6618《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。
---在图1中原文把第二基准面与基准面画成一样,是不正确的,产品加工中第二基准面应比基准
面短,以便区分。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会(SAC/TC182)归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团第二十六研究所、中国电子科技集团德清华莹电子有限公司、
北京石晶光电科技有限公司。
本标准主要起草人:张小梅、蒋春健、吴兆刚、吴剑波、赵雄章、周洋舟。
声表面波(SAW)器件用单晶晶片
规范与测量方法
1 范围
本标准规定了人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等单晶晶
片等。
本标准适用于人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等单晶晶
片。这些单晶晶片用作声表面波(SAW)滤波器和谐振器等基片材料。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
(ISO 2859-1:1999,IDT)
GB/T 3352 人造石英晶体 规范与使用指南(IEC 60758:2008,MOD)
GB/T 3505 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数
(ISO 4287:1997,IDT)
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1 SAW晶片用单晶晶体
3.1.1
采用水热法生长的右旋或左旋石英单晶晶体。单晶化学式为α-SiO2。
注:有关石英晶体更多的说明见GB/T 3352。
3.1.2
铌酸锂 lithiumniobate;LN
采用Czochralski法(提拉法)或其他方法生长的,单晶化学式为LiNbO3 ......
|