路径: 主页 > GB/T > 第432页 > GB/T 30654-2014 | 标准编号 | GB/T 30654-2014 (GB/T30654-2014) | | 中文名称 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | | 英文名称 | Test method for lattice constant of Ⅲ-nitride epitaxial layers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040.20 | | 字数估计 | 10,120 | | 发布日期 | 12/31/2014 | | 实施日期 | 9/1/2015 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第33号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。本标准适用于在氧化物衬底(Al2Ο3、ZnΟ等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga, In, Al)N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。 | GB/T 30654-2014
Test method for lattice constant of Ⅲ-nitride epitaxial layers
ICS 77.040.20
H21
中华人民共和国国家标准
Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
2014-12-31发布
2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布
机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
本标准主要起草人:孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。
Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
1 范围
本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。
本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的
氮化物(Ga,In,Al)N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可
参考本标准。
2 符号
下列符号适用于本文件。
FWHM:半高宽,衍射峰高一半处衍射峰的全宽。
ω:入射光和样品表面之间的角度。
2θ:探测器与入射光之间的角度。
χ轴:倾斜样品的轴,由样品表面和衍射平面相交而成。
χ角:样品表面和衍射平面相交的角度。
ω-2θ扫描或2θ-ω扫描:联动扫描,探测器以两倍于样品的速度扫描。
θB:X射线产生衍射时入射光线与反射面之间的角度。
3 方法原理
3.1 总则
Ⅲ族氮化物半导体外延片相对结晶完整性较好,利用高分辨X射线衍射方法测量样品的晶格常数
不但很方便,而且具有精度高、无损伤和无污染的特点。外延片晶格常数的测量方法有两大类:相对测
量方法和绝对测量方法。
3.2 相对测量方法
根据外延峰相对于衬底峰的位置来确定外延膜的晶格常数。在此测量方法中,认为衬底不发生形
变,处于完全弛豫状态,然后利用双晶衍射或者三轴晶衍射进行ω-2θ扫描,从而得到外延膜衍射峰与衬
底峰的峰间距Δω。若外延峰在衬底峰的左侧,外延膜处于压应变状态,Δω为负;若外延峰在衬底峰的
右侧,外延膜处于张应变状态,Δω为正。根据布拉格方程2dsinθB=nλ,得到对应的晶面间的距离,即
式......
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