路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 30656-2014 | 标准编号 | GB/T 30656-2014 (GB/T30656-2014) | | 中文名称 | 碳化硅单晶抛光片 | | 英文名称 | Polished monocrystalline silicon carbide wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 15,182 | | 发布日期 | 12/31/2014 | | 实施日期 | 9/1/2015 | | 引用标准 | GB/T 1555; GB/T 6616; GB/T 6619; GB/T 6620; GB/T 6624; GB/T 13387; GB/T 13388; GB/T 14140; GB/T 14264; GB/T 29505; GB/T 29507; GB/T 31351; DIN 50448 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第33号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检查规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电阻器件的外延衬底。 | GB/T 30656-2014
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
碳化硅单晶抛光片
2014-12-31发布
2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布
机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘春俊、刘振洲。
碳化硅单晶抛光片
1 范围
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、
质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品
主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 13387 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 31351 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
DIN50448 半导体工艺材料试验 使用电容式探测器对半绝缘半导电切片电阻率的非接触测定
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
六方空洞 hexagonalvoid
独立于晶片单晶区的具有六角形特征的空洞。
3.2
微管 micropipe
4H或6H碳化硅单晶抛光片中沿......
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