路径: 主页 > GB/T > 第392页 > GB/T 30656-2023 | 标准编号 | GB/T 30656-2023 (GB/T30656-2023) | | 中文名称 | 碳化硅单晶抛光片 | | 英文名称 | Polished monocrystalline silicon carbide wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 18,193 | | 发布日期 | 2023-03-17 | | 实施日期 | 2023-10-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 30656-2014 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | ICS29.045
CCSH83
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
2023-03-17发布
2023-10-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 30656-2014《碳化硅单晶抛光片》,与GB/T 30656-2014相比,除结构调整和
编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 更改了适用范围(见第1章,2014年版的第1章);
b) 更改了术语和定义(见第3章,2014年版的第3章);
c) 增加了按直径150.0mm的分类(见4.2.3);
d) 增加了直径150.0mm碳化硅单晶抛光片的技术要求(见第5章);
e) 增加了直径100.0mm半绝缘型碳化硅单晶抛光片的厚度及允许偏差(见5.2);
f) 更改了总厚度变化的要求(见5.2,2014年版的4.5);
g) 增加了局部厚度变化的要求(见5.2);
h) 更改了直径100.0mm碳化硅单晶抛光片的翘曲度、弯曲度要求(见5.2,2014年版的4.5);
i) 更改了电阻率的要求(见5.5,2014年版的4.10);
j) 更改了微管密度的要求(见5.6,2014年版的4.8);
k) 增加了工业级导电型碳化硅单晶抛光片位错密度的要求(见5.7);
l) 更改了表面质量中裂纹、六方空洞、肉眼可见凹坑的要求(见5.10,2014年版的4.7);
m) 增加了崩边的要求(见5.10);
n) 增加了表面质量中可用面积比例、检测面的内容(见5.10的表9脚注);
o) 更改了表面粗糙度的要求(见5.11,2014年版的4.5);
p) 更改了试验方法(见第6章,2014年版的第5章);
q) 更改了组批、取样的要求(见7.2、7.3,2014年版的6.2、6.3);
r) 增加了检验项目(见7.3);
s) 更改了检验结果的判定(见7.4,2014年版的6.4);
t) 更改了标志的内容(见8.1,2014年版的7.1);
u) 更改了随行文件的内容(见8.5,2014年版的7.4);
v) 更改了牌号表示方法中直径、晶向角度、厚度的内容(见附录A,2014年版的附录A);
w) 删除了摇摆曲线的检测方法(见2014年版的附录B);
x) 增加了拉曼散射法的测试步骤(见B.4.2)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、南京国盛电子有限
公司、安徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。
本文件主要起草人:陈小龙、彭同华、佘宗静、王波、刘春俊、李素青、郭钰、娄艳芳、郑红军、杨建、
骆红、钮应喜。
本文件于2014年首次发布,本次为第一次修订。
碳化硅单晶抛光片
1 范围
本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、
包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛
光片。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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