主页 购物车 询价 关于我们
www.GB-GBT.com
收录标准: 222550 (2026-05-23) 搜索
路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 30855-2014

[PDF] GB/T 30855-2014 - 英文版

标准搜索结果: 'GB/T 30855-2014'
标准号码美元购买PDF工期标准名称(英文版)
GB/T 30855-2014 299 GB/T 30855-2014 <=3 LED外延芯片用磷化镓衬底
基本信息
标准编号 GB/T 30855-2014 (GB/T30855-2014)
中文名称 LED外延芯片用磷化镓衬底
英文名称 GaP substrates for LED epitaxial chips
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 H83
国际标准分类 29.045
字数估计 13,181
发布日期 7/24/2014
实施日期 4/1/2015
引用标准 GB/T 191; GB/T 1555; GB/T 2828.1; GB/T 4326; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6620; GB/T 6621; GB/T 6624; GB/T 13387; GB/T 13388; GB/T 14140; GB/T 14264; GB/T 14844; GJB 3076-1997
标准依据 国家标准公告2014年第19号
发布机构 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
范围 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。

GB/T 30855-2014 GaP substrates for LED epitaxial chips ICS 29.045 H83 中华人民共和国国家标准 LED外延芯片用磷化镓衬底 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口。 本标准主要起草单位:中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材 料有限公司。 本标准主要起草人:赵有文、提刘旺、林泉、惠峰、赵坚强。 LED外延芯片用磷化镓衬底 1 范围 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包 装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GJB3076-1997 磷化镓单晶片规范 3 术语和定义 GB/T 14......

英文网页English: GB/T 30855-2014

相关标准: GB/T 29055|GB/T 30856|GB/T 30858|GB/T 30854|