路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 30868-2014 | 标准编号 | GB/T 30868-2014 (GB/T30868-2014) | | 中文名称 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | | 英文名称 | Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafer -- Chemically etching | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,770 | | 发布日期 | 7/24/2014 | | 实施日期 | 2/1/2015 | | 引用标准 | GB/T 14264 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第19号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了利用熔融氢氧化钾法测定碳化硅单晶微管密度的方法。本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。 | GB/T 30868-2014
Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafer.Chemically etching
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
碳化硅单晶片微管密度的测定
化学腐蚀法
2014-07-24发布
2015-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
碳化硅单晶片微管密度的测定
化学腐蚀法
1 范围
本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。
本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用标准,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法原理
采用择优化学腐蚀技术显示微管缺陷,用光学显微镜或其他仪器(如扫描电子显微镜)观察碳化硅
单晶表面的微管,计算单位面积上微管的个数,即得到微管密度。
5 试剂和材料
本方法需要下列试剂和材料:
a) 氢氧化钾(KOH):优级纯;
b) 硅溶胶:小于150nm;
c) 去离子水:电阻率大于2MΩ·cm。
6 仪器设备
本方法需要下列仪器和设备:
a) 光学显微镜或其他仪器:放大倍数为20~500倍;
b) 镍坩埚:直径Φ60m......
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