路径: 主页 > GB/T > 第432页 > GB/T 32280-2015 | 标准编号 | GB/T 32280-2015 (GB/T32280-2015) | | 中文名称 | 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 | | 英文名称 | Test method for warp of silicon wafers -- Automated non-contact scanning method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 12,153 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 引用标准 | GB/T 6620; GB/T 14264; GB/T 29507; GB 50073-2013 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm, 厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和(或)机械效应引起的硅片翘曲, 也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。 | GB/T 32280-2015
Test method for warp of silicon wafers.Automated non-contact scanning method
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
硅片翘曲度测试
自动非接触扫描法
2015-12-10发布
2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司、
浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、东莞市华源光电科技有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、何宇、徐新华、王飞尧、张海英、楼春兰、向兴龙。
硅片翘曲度测试
自动非接触扫描法
1 范围
本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。
本标准适用于直径不小于50mm,厚度不小于100μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻
蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和(或)机械效应引起的硅片
翘曲,也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB 50073-2013 洁净厂房设计规范
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
典型片 representativewafer
利用翻转的方法进行重力校正的代表性晶片。典型片应与被测晶片具有完全相同的标称直径、标
称厚度、基准结构和结晶取向。
4 方法提要
将被测晶片放置在平坦、洁净的小吸盘上,吸盘带动晶片沿规定的图形在两个相对的探头之间运
动,两个探头同时对晶片的上下表面进行扫描,获得一组晶片上下表面分别到最近的探头间的距离数
据。对应扫描的每一点,得到一对X 和Y 坐标都相同的距离数值;成对的位移数值用于构造一个中位
面,而在中位面上的重力效应的校正是通过从一个典型片测量值,或理论值减去一个重力校正值得到
的,也可以通过翻转晶片重复扫描进行校正。从合适的中位面构造一个最小二乘法基准面,计算每对测
量点上的基准面偏离(RPD)。翘曲度即为最大的正数(RPD)和最小的负数(RPD)间的代数差。
注:晶片的翘曲可能是由于晶片的上下表面不相同的应力造成的,所以它不可能通过测量其中一个面确定。中位
面包含了向上、向下或......
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