路径: 主页 > GB/T > 第238页 > GB/T 35009-2018 | 标准编号 | GB/T 35009-2018 (GB/T35009-2018) | | 中文名称 | 串行NAND型快闪存储器接口规范 | | 英文名称 | Specification for serial NAND flash interface | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L56 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 30,323 | | 发布日期 | 2018-03-15 | | 实施日期 | 2018-08-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 35009-2018
Specification for serial NAND flash interface
ICS 31.200
L56
中华人民共和国国家标准
串行NAND型快闪存储器接口规范
2018-03-15发布
2018-08-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 物理接口 1
4.1 引出端功能定义 1
4.2 数据接口类型 2
5 存储阵列架构 3
5.1 存储架构 3
5.2 状态寄存器 4
5.3 器件保护功能 5
5.4 器件自毁功能 6
6 指令定义 7
6.1 指令集说明 7
6.2 指令集描述 8
6.3 指令格式模式 19
7 参数表说明 20
7.1 参数表头定义 20
7.2 参数列表定义 20
附录A(资料性附录) 块保护(BP)方式 25
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:北京兆易创新科技股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、深圳
市中兴微电子技术有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所、清华大学微电子学研
究所、安凯(广州)微电子技术有限公司。
本标准主要起草人:苏志强、刘超、刘会娟、高硕、罗晓羽、武鹏、林建京、吴华强、邹天翔。
串行NAND型快闪存储器接口规范
1 范围
本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定
义和参数表说明等。
本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路
3 术语和定义
GB/T 17574-1998界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
状态寄存器 statusregister
存储器内部标志内部状态的寄存器。
3.2
一次性可编程 one-timeprogrammable;OTP
存储器内只可编程一次的存储区域,该区域一次编程后不可再次修改。
3.3
纠错码 errorcorrectioncode;ECC
一种可提高快闪存储器可靠性的纠错方法。
4 物理接口
4.1 引出端功能定义
器件引出端功能定义见表1。
表1 引出端功能定义
引出端 输入/输出 功能定义
CS# 输入 片选信号输入,低电平有效
S......
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