[PDF] GB/T 35306-2017 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 35306-2017 | 399 | GB/T 35306-2017 | <=3 | 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 35306-2017 (GB/T35306-2017) |
| 中文名称 | 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 |
| 英文名称 | Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon -- Low temperature Fourier transform infrared spectrometry |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H17 |
| 国际标准分类 | 77.040 |
| 字数估计 | 10,113 |
| 发布日期 | 2017-12-29 |
| 实施日期 | 2018-07-01 |
| 标准依据 | 国家标准公告2017年第32号 |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 35306-2017
Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon--Low temperature fourier transform infrared spectrometry
ICS 77.040
H17
中华人民共和国国家标准
硅单晶中碳、氧含量的测定
低温傅立叶变换红外光谱法
2017-12-29发布
2018-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位.昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材
料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司
新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司。
本标准主要起草人.张云晖、韩小月、毛智慧、赵建为、刘晓霞、王桃霞、田洪先、刘明军、银波、刘国霞、
蔡延国、秦榕、童孟、钱津旺、杨红燕。
硅单晶中碳、氧含量的测定
低温傅立叶变换红外光谱法
1 范围
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的P型硅
单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。
本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014atoms·cm-3(0.01ppma)到硅中代位碳和间隙氧的
最大固溶度。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
3 术语和定义
GB/T 14264和ASTME131界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
背景光谱 backgroundspectrum
在红外光谱仪中,无样品存在的情况下使用单光束测量获得的谱线,通常包括氮气、空气等信息。
3.2
参比光谱 referencespectrum
参比样品的光谱。对于双光束仪器,参比光谱是直接将参比样品放置于样品光路,让参比光路空着
获得的,对于傅立叶变换红外光谱仪及其他单光束仪器,参比光谱是将参比样品的光谱扣除背景光谱后
得到的结果。
3.3
样品光谱 samplespectrum
测试样品的光谱。对于双光束仪器,样品光谱是直接将样品放置于样品光路,让参比光路空着获得
的,对于傅立叶变换红外光谱仪及其他单光束仪器,样品......