路径: 主页 > GB/T > 第237页 > GB/T 42191-2023 | 标准编号 | GB/T 42191-2023 (GB/T42191-2023) | | 中文名称 | MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法 | | 英文名称 | Test methods of the performances for MEMS piezoresistive pressure-sensitive device | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L59 | | 国际标准分类 | 31.080.99 | | 字数估计 | 15,149 | | 发布日期 | 2023-05-23 | | 实施日期 | 2023-09-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 42191-2023: MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
ICS 31.080.99
CCSL59
中华人民共和国国家标准
MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
2023-05-23发布
2023-09-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验条件及规定 1
4.1 大气条件 1
4.2 其他环境条件 2
4.3 测试设备 2
5 试验项目及方法 2
5.1 试验项目 2
5.2 试验方法 2
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本文件起草单位:北京大学、中机生产力促进中心有限公司、北京智芯传感科技有限公司、昆山昆博
智能感知产业技术研究院有限公司、厦门光莆电子股份有限公司、江门市润宇传感器科技有限公司、宁
波志伦电子有限公司、广州奥松电子股份有限公司、华东光电集成器件研究所、深圳市美思先端电子有
限公司、南京高华科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、湖南国天电子科技有限公司、南京沃天
科技股份有限公司、广州广电计量检测股份有限公司、武汉飞恩微电子有限公司、深圳安培龙科技股份
有限公司、昆山传感器测控技术有限公司。
本文件主要起草人:张威、顾枫、李根梓、陈广忠、李宋、张亚婷、张良、陈立国、林瑞梅、李树成、茅曙、
张宾、王鹏、李晓波、许宙、王玮冰、陈路、高峰、明志茂、曹万、陈君杰、王冰。
MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
1 范围
本文件描述了 MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。
本文件适用于 MEMS压阻式压力敏感器件。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温
GB/T 2423.5 环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击
GB/T 2423.22 环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化
GB/T 4937.12 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动
GB/T 26111 微机电系统(MEMS)技术 术语
GB/T 33922 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法
3 术语和定义
GB/T 26111、GB/T 33922界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
MEMS压阻式压力敏感芯片进行封装后的器件。
4 试验条件及规定
4.1 大气条件
除另有规定外,所有试验都应在下述大气条件下进行。
a) 标准大气条件:
---温度:15℃~35℃;
---相对湿度:20%~80%;
---大气压力:86kPa~106kPa。
b) 标准参比大气条件:
---......
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