路径: 主页 > GB/T > 第237页 > GB/T 42969-2023 | 标准编号 | GB/T 42969-2023 (GB/T42969-2023) | | 中文名称 | 元器件位移损伤试验方法 | | 英文名称 | Displacement damage test method for components | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L56 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 10,157 | | 发布日期 | 2023-09-07 | | 实施日期 | 2024-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 42969-2023: 元器件位移损伤试验方法
ICS 31.200
CCSL56
中华人民共和国国家标准
元器件位移损伤试验方法
2023-09-07发布
2024-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:中国空间技术研究院、中国工程物理研究院核物理与化学研究所、西北核技术研
究院、中国电子科技集团公司第四十四研究所、中国科学院新疆理化技术研究所、扬州大学。
本文件主要起草人:罗磊、于庆奎、唐民、朱恒静、张洪伟、郑春、陈伟、丁李利、汪朝敏、李豫东、文林、
薛玉雄。
元器件位移损伤试验方法
1 范围
本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。
本文件适用于光电集成电路和分立器件,如电荷耦合器件(CCD)、光电耦合器、图像敏感器(APS)、
光敏管等,用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB 18871 电离辐射防护与辐射源安全基本标准
GB/T 19022-2003 测量管理体系 测量过程和测量设备的要求
GB/T 27418-2017 测量不确定度评定和表示
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
位移损伤 displacementdamage
粒子在材料中通过弹性或非弹性碰撞导致材料晶格结构损伤。
3.2
单位质量材料吸收的产生位移损伤的能量。
注:位移损伤剂量常用某种能量粒子的位移损伤等效注量来表征,如10MeV质子、1MeV中子等效注量来描述器
件的位移损伤。
3.3
非电离能损 non-ionizingenergyloss;NIEL
入射粒子通过非电离方式在单位距离内传递给晶格的能量。
注:非电离能损的常用单位为兆电子伏平方厘米每克(MeV·cm2/g)。
3.4
原位测......
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