路径: 主页 > GB/T > 第237页 > GB/T 42974-2023 | 标准编号 | GB/T 42974-2023 (GB/T42974-2023) | | 中文名称 | 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH） | | 英文名称 | Semiconductor integrated circuits - Flash memory(FLASH) | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L56 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 18,143 | | 发布日期 | 2023-09-07 | | 实施日期 | 2024-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 42974-2023: 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH）
ICS 31.200
CCSL56
中华人民共和国国家标准
半导体集成电路
快闪存储器(FLASH)
2024-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、兆易创新科技集团股份有限公司、合肥美菱物联科
技有限公司、存心科技(北京)有限公司、芯天下技术股份有限公司、三旗(惠州)电子科技有限公司。
本文件主要起草人:罗晓羽、何卫、辛钧、胡洪、苏志强、李东琦、韩旭、龙冬庆、张静、李柏泉、王如松、
李敬、李海龙。
半导体集成电路
快闪存储器(FLASH)
1 范围
本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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GB/T 4937.15 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热
GB/T 4937.21 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性
GB/T 4937.23 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温工作寿命
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