标准搜索结果: 'GB/T 4326-2006'
| 标准编号 | GB/T 4326-2006 (GB/T4326-2006) | | 中文名称 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | | 英文名称 | Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040.01 | | 字数估计 | 16,153 | | 发布日期 | 2006-07-18 | | 实施日期 | 2006-11-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 4326-1984 | | 采用标准 | ASTM F76, NEQ | | 标准依据 | 中国国家标准批准发布公告 2006年第8号(总第95号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化稼和磷化稼单晶材料进行了实验室侧量, 但该方法也可适用于其他半导体单晶材料, 一般情况下, 适用于室温电阻率高达10·cm半导体单晶材料的测试。 | ......
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