路径: 主页 > GB/T > 第238页 > GB/T 4377-2018 | 标准编号 | GB/T 4377-2018 (GB/T4377-2018) | | 中文名称 | 半导体集成电路 电压调整器测试方法 | | 英文名称 | Semiconductor integrated circuits -- Measuring method of voltage regulators | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L56 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 26,272 | | 发布日期 | 2018-03-15 | | 实施日期 | 2018-08-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 4377-2018
ICS 31.200
L56
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 4377-1996
半导体集成电路
电压调整器测试方法
2018-03-15发布
2018-08-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 术语和定义 1
3 总则 3
3.1 测试环境要求 3
3.2 测试注意事项 3
3.3 测试仪器和设备 3
4 参数测试 3
4.1 电压调整率(SV) 3
4.2 电流调整率(SI) 5
4.3 电源纹波抑制比(Srip) 6
4.4 输出电压温度系数(ST) 7
4.5 输出电压长期稳定性(St) 8
4.6 输出噪声电压(VNO) 9
4.7 耗散电流(ID)和耗散电流变化(ΔID) 10
4.8 短路电流(IOS) 11
4.9 输出阻抗(ZO) 12
4.10 基准电压(VREF) 13
4.11 启动时间(tS) 14
4.12 最小输入输出电压差(VDROP) 15
4.13 输入电压变化瞬态响应时间(t1)和输入电压变化瞬态过冲电压[VOM(VI)] 16
4.14 负载电流变化瞬态响应时间(t2)和负载电流变化瞬态过冲电压[VOM(IO)] 17
4.15 输出电流限制(ILimit) 18
4.16 热关断温度(TSHDN)和滞回温度(ΔTSHDN) 19
4.17 输出电压(VO)和输出电压偏差(ΔVO) 20
4.18 热调整率(Sh) 21
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》,与GB/T 4377-
1996相比,主要技术变化如下:
---修改了电源纹波抑制比Srip、输出噪声电压VNO、耗散电流ID 和耗散电流变化ΔID、热调整率
Sh4项参数测试方法;
---删除了原标准中“不适用于双端(输入)口器件”一句;
---删除了原标准中“启动电压范围VOR”一项,改由“启动时间tS”来代替;
---增加了启动时间tS、输出电流限制ILimit、热关断温度TSHDN和滞回温度ΔTSHDN及输出电压VO
和输出电压偏差ΔVO4项参数的测试方法。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:圣邦微电子(北京)股份有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研
究所、成都振芯科技股份有限公司、北京宇翔电子有限公司。
本标准主要起草人:王鸿儒、袁莹莹、邹臣、朱华、张宝华、张冰、陈志培、罗彬。
半导体集成电路
电压调整器测试方法
1 范围
本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。
2 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
2.1
电压调整率 voltageregulation
输出电压随输入电压变化而发生的变化率,通常通过改变直流输入电压并测量相应的输出电压变
化来确定电压调整率。
2.2
电流调整率 currentregulation
输出电压随输出电流变化而发生的变化率,通常通过改变直流输出电流并测量相应的直流输出电
压变化来确定电流调整率。
2.3
输入电源变化量与输出电压变化量的比值。
2.4
输出电压随环境温度变化而发生的变化率,通常通过改变环境温度和记录相应的输出电压变化来
确定输出电压的温度系数。
2.5
输出电压随时间的变化率,通过测试输出电压值随时间的变化来确定。
2.6
输出噪声电压 outputvoltagenoise
器件本身在输出电压上产生的噪声,通常在规定的直流输入电压下,测量器件内部电路对输出电压
的干扰。
2.7
在输入电压和输出电流为规定值时的地端电流值,在输入和输出条件变化时,确定耗散电流变化。
在输出电流为......
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