路径: 主页 > GB/T > 第744页 > GB/T 6217-2026 | 标准编号 | GB/T 6217-2026 (GB/T6217-2026) | | 中文名称 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | | 英文名称 | Discrete semiconductor devices - Blank detail specification for low power bipolar transistors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L42 | | 国际标准分类 | 31.080.30 | | 字数估计 | 34,310 | | 发布日期 | 2026-03-31 | | 实施日期 | 2026-10-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 5464-2010 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 6217-2026: 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范
ICS 31.080.30
CCSL42
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 6217-1998,GB/T 6218-1996
半导体分立器件
小功率双极型晶体管空白详细规范
2026-03-31发布
2026-10-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 6217-1998《半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低
频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》和GB/T 6218-1996《开关用双极型晶体管空白详细
规范》。本文件以GB/T 6217-1998为主,整合了GB/T 6218-1996的内容。与GB/T 6217-1998相
比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
---增加了最大额定值中最高结温推荐值150℃和175℃(见表1);
---增加了电特性中共发射极正向电流传输比的静态值常温较小电流、典型电流、较大电流等三个
电流测试条件的建议数值范围(见表2);
---增加了低温共发射极正向电流传输比的静态值(见表2、表5、表6及表7);
---删除了共发射极反向传输电容C12e和反向传输时间常数(见GB/T 6217-1998的5.16、5.17、
表3);
---增加了电参数曲线的条款(见4.3.3);
---增加了筛选(见5.1);
---删除了A2a分组不能工作器件的测试(见GB/T 6217-1998的表1);
---增加了A3分组的共基极输出电容的测试(见表4);
---删除了C2a的分组的共基极输出电容的测试(见GB/T 6217-1998的表3)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:济南晶恒电子有限责任公司、北京中科新微特科技开发股份有限公司、辽宁芯诺
电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、朝阳微电子科技股份有限公司。
本文件主要起草人:侯秀萍、卞岩、侯杰、崔同、陶红玉、张彦飞、温霄霞、刘梦新、康婷婷、张金稳、
张秋、韩冰冰。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---GB/T 6217,1986年首次发布,1998年第一次修订;
---GB/T 6218,1986年首次发布,1996年第一次修订;
---本次为第二次修订。
半导体分立器件
小功率双极型晶体管空白详细规范
1 范围
本文件规定了小功率双极型晶体管(以下简称器件)(包括高低频小功率双极型晶体管和小功率双
极型开关晶体管)的技术要求和质量保证规定。
本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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