[PDF] GB/T 6219-1998 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 6219-1998 | 559 | GB/T 6219-1998 | <=3 | 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 6219-1998 (GB/T6219-1998) |
| 中文名称 | 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor devices Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One. Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L42 |
| 国际标准分类 | 31.080.30 |
| 字数估计 | 16,175 |
| 发布日期 | 11/17/1998 |
| 实施日期 | 6/1/1999 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 6219-1986 |
| 采用标准 | IEC 60747-8-1-1987, IDT |
| 发布机构 | 国家质量技术监督局 |
| 范围 | 本标准规定了制定1GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管洋细规范的基本原则, 制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 |
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