[PDF] GB/T 6351-1998 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 6351-1998 | 389 | GB/T 6351-1998 | <=3 | 半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管 (包括雪崩整流二极管) 空白详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 6351-1998 (GB/T6351-1998) |
| 中文名称 | 半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管 (包括雪崩整流二极管) 空白详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor devices. Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes Section One. Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes)1, ambient and case-rated, up to 100A |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L43 |
| 国际标准分类 | 31.080.10 |
| 字数估计 | 11,114 |
| 发布日期 | 11/17/1998 |
| 实施日期 | 6/1/1999 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 6351-1986 |
| 采用标准 | IEC 60747-2-1-1989, IDT |
| 发布机构 | 国家技术监督局 |
| 范围 | 本标准规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则, 制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本标准是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》(IEC 747-10:1984)和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范》(IEC 747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。 |
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