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| 标准编号 | GB/T 7232-2012 (GB/T7232-2012) | | 中文名称 | 金属热处理工艺 术语 | | 英文名称 | Terminology of metal heat treatment | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | J36 | | 国际标准分类 | 25.200 | | 字数估计 | 48,421 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 7232-1999 | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第24号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了金属热处理工艺主要术语的中英文对照及其定义。本标准适用于金属热处理工艺技术标准及技术文件等。 |
GB/T 7232-2012
Terminology of metal heat treatment
ICS 25.200
J36
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 7232-1999
金属热处理工艺 术语
2012-09-03发布
2013-03-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 总类 1
3 退火类 5
4 正火类 7
5 淬火类 8
6 回火类 12
7 固溶和时效热处理类 13
8 渗碳类 14
9 渗氮类 17
10 渗其他非金属及渗金属类 18
11 共渗类 19
12 表面处理及复合热处理类 19
13 组织类 22
14 热处理缺陷类 26
附录A(规范性附录) 中文索引 29
附录B(规范性附录) 英文索引 34
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 7232-1999《金属热处理工艺 术语》,与GB/T 7232-1999标准相比,主要内
容变化如下:
---增加了“淬火-碳分配热处理(Q-P热处理)”(2.16)、“高能束热处理”(2.17)、“相变诱发塑性”
(2.23)、“晶界工程”(2.24)、“非晶晶化”(2.25)、“有效加热区”(2.35)、“保护气氛退火”(3.27)
和“循环退火”(3.28)、“真空淬火”(5.14)、“强烈淬火”(5.35)、“数字化淬火冷却控制技术”
(5.36)、“激光熔覆”(12.1)、“激光冲击处理”(12.2)、“微弧氧化”(12.3)、“离子注入”(12.4)、
“强流脉冲电子束辐照”(12.19)、“等离子喷涂”(12.20)、“热喷涂”(12.21)、“纳米晶”(13.13)、
“过冷奥氏体”(13.22)、“淬火冷却应力”(14.7)、“热处理畸变”(14.11)的术语和定义;
---修改了“复合热处理”(2.20)、“均匀化退火”(3.9)的英文名称和“移动加热”(2.31)、“不完全退
火”(3.13)、“晶粒粗化退火”(3.14)的中文名称;
---从原退火类术语中分出正火类术语,并单独列为一章(见第4章);
---删除了可控气氛、吸热式气氛、放热式气氛、放热-吸热式气氛、滴注式气氛、氮基气氛、合成气
氛、直生式气氛、中性气氛、氧化气氛、还原气氛常用工艺材料术语;
---将原沉积类术语归到表面处理和复合处理类,并对其顺序进行了调整(12.6、12.13~12.19);
本标准由全国热处理标准化技术委员会(SAC/TC75)提出并归口。
本标准主要起草单位:北京机电研究所、天津市热处理研究所有限公司、江苏丰东热技术股份有限
公司。
本标准参加起草单位:北京科技大学、太原理工大学。
本标准主要起草人:李俏、宋宝敬、向建华、侯增寿、吕反修、吕东显、高新宇、韩永珍。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 7232-1987;GB/T 7232-1999。
金属热处理工艺 术语
1 范围
本标准规定了金属热处理工艺主要术语的中英文对照及其定义。
本标准适用于金属热处理工艺技术标准及技术文件等。
2 总类
2.1
热处理 heattreatment
采用适当的方式对金属材料或工件(以下简称工件)进行加热、保温和冷却以获得预期的组织结构
与性能的工艺。
2.2
整体热处理 bulkheattreatment
对工件整体进行穿透加热的热处理。
2.3
局部热处理 localheattreatment;partialheattreatment
仅对工件的某一部位或几个部位进行热处理的工艺。
2.4
化学热处理 thermo-chemicaltreatment
将工件置于适当的活性介质中加热、保温,使一种或几种元素渗入它的表层,以改变其化学成分、组
织和性能的热处理。
2.5
化合物层 compoundlayer
化学热处理、物理气相沉积和化学气相沉积时在工件表面形成的化合物层。
2.6
扩散层 diffusionlayer
化学热处理时工件化合物层以下的......
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