[PDF] JB/T 8736-1998 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| JB/T 8736-1998 | 209 | JB/T 8736-1998 | <=3 | 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | JB/T 8736-1998 (JB/T8736-1998) |
| 中文名称 | 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片 |
| 英文名称 | Aluminum nitride ceramics substrate intended to be used in power semiconductor modules |
| 行业 | 机械行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | K46 |
| 字数估计 | 6,697 |
| 发布日期 | 1998-05-28 |
| 实施日期 | 1998-11-01 |
| 引用标准 | GB 191-1990; GB/T 1958-1980; GB/T 2413-1980; GB/T 2828-1987; GB/T 5593-1985; GB/T 5594.3-1985; GB/T 5594.5-1985; GB/T 14619-1993; QJ/T 1868-1990 |
| 范围 | 本标准规定了电力半导体模块用氮化铝陶瓷荃片(以下简称9-片)的型式、尺寸、技术要求、检验规则、试验方法以及标志、包装、运愉、贮存等要求.本标准适用干电力半导体棋块用氮化铝陶瓷基片的生产、销售和使用. |
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