[PDF] SJ 20068-1992 - 中国标准 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ 20068-1992 | 419 | SJ 20068-1992 | <=3 | 半导体分立器件.2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 20068-1992 (SJ20068-1992) |
| 中文名称 | 半导体分立器件.2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor discrete device. Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for type 2DW14~18 |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | L41 |
| 字数估计 | 12,156 |
| 发布日期 | 11/19/1992 |
| 实施日期 | 5/1/1993 |
| 引用标准 | GB 6571-1986; GB 7581-1987; GJB 33-1985; GJB 33/06-1989; GJB 128-1986 |
| 范围 | 本规范规定了2DW 14～18型低噪声硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求, 该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定, 供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。 |
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