[PDF] SJ 20183-1992 - 中国标准 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ 20183-1992 | 419 | SJ 20183-1992 | <=3 | 半导体分立器件3DD6型功率晶体管详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 20183-1992 (SJ20183-1992) |
| 中文名称 | 半导体分立器件3DD6型功率晶体管详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DD6 power transistor |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | L40 |
| 字数估计 | 12,145 |
| 发布日期 | 11/19/1992 |
| 实施日期 | 5/1/1993 |
| 引用标准 | GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86 |
| 范围 | 本规范规定了3DD6B～I型功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定, 提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 |
......