[PDF] SJ 2215.5-1982 - 中国标准 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ 2215.5-1982 | 199 | SJ 2215.5-1982 | <=2 | 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 2215.5-1982 (SJ2215.5-1982) |
| 中文名称 | 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法 |
| 英文名称 | Method of measurement for reverse breakdown voltage of semiconductor photocouplers (diodes) |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | L54 |
| 字数估计 | 1,196 |
| 发布日期 | 11/30/1982 |
| 实施日期 | 7/1/1983 |
| 标准依据 | 工业和信息化部公告(2015年第28号); 工科(2010)第77号 |
| 范围 | 本标准适用于光耦合器的二极管反向击穿电压V(BR)的测试。 |
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